说一下三极管与MOS管的不同

qwqwqw2088

说一下三极管与MOS管的不同 [复制链接]

在电路设计当中如果我们想要对电流进行控制，那就少不了三极管的帮助。我们俗称的三极管其全称为半导体三极管，它的主要作用就是将微弱的信号进行放大。MOS管与三极管有着许多相近的地方，这就使得一些新手始终无法明确两者之间的区别，本篇文章就将为大家介绍三极管和MOS管的一些异同。

关于三极管和MOS管的区别，我们简单总结了几句话方便大家理解。

从上来说作性质上来说：三极管用电流控制，MOS管属于电压控制。

从成本上来说：三极管便宜，MOS管贵。

关于功耗问题：三极管损耗大。

驱动能力上的不同：MOS管常用于电源开关以及大电流地方开关电路。

实际上，就是三极管操作方便且价格低廉，经常用于数字电路的开关控制当中。而MOS管用于高频高速电路，大电流场合，以及对基极或漏极控制电流比较敏感的地方。所以一般来说低成本场合，普通应用的先考虑用三极管，不行的话考虑MOS管。

实际上说电流控制慢，电压控制快这种理解是不对的。要真正理解得了解双极晶体管和mos晶体管的工作方式才能明白。三极管是靠载流子的运动来工作的，以npn管射极跟随器为例，当基极加不加电压时，基区和发射区组成的pn结为阻止多子(基区为空穴，发射区为电子)的扩散运动，在此pn结处会感应出由发射区指向基区的静电场(即内建电场)，当基极外加正电压的指向为基区指向发射区，当基极外加电压产生的电场大于内建电场时，基区的载流子(电子)才有可能从基区流向发射区，此电压的最小值即pn结的正向导通电压(工程上一般认为0.7v)。

但此时每个pn结的两侧都会有电荷存在，此时如果集电极-发射极加正电压，在电场作用下，发射区的电子往基区运动(实际上都是电子的反方向运动)，由于基区宽度很小，电子很容易越过基区到达集电区，并与此处的PN的空穴复合(靠近集电极)，为维持平衡，在正电场的作用下集电区的电子加速外集电极运动，而空穴则为pn结处运动，此过程类似一个雪崩过程。

集电极的电子通过电源回到发射极，这就是晶体管的工作原理。三极管工作时，两个pn结都会感应出电荷，当开关管处于导通状态时，三极管处于饱和状态，如果这时三极管截至，pn结感应的电荷要恢复到平衡状态，这个过程需要时间。而MOS与三极管工作方式不同，没有这个恢复时间，因此可以用作高速开关管。

下面针对一些电路设计当中会出现的情况，罗列出了几种MOS管和三级管的选择规律：

(1)MOS管是电压控制元件，而三级管是电流控制元件。在只允许从信号源取较少电流的情况下，应选用MOS管；而在信号电压较低，又允许从信号源取较多电流的条件下，应选用三极管。

(2)电力电子技术中提及的单极器件是指只靠一种载流子导电的器件，双极器件是指靠两种载流子导电的器件。MOS管是利用一种多数载流子导电，所以称之为单极型器件，而三极管是既有多数载流子，也利用少数载流子导电。被称之为双极型器件。

(3)有些MOS管的源极和漏极可以互换使用，栅压也可正可负，灵活性比三极管好。

(4)MOS管能在很小电流和很低电压的条件下工作，而且它的制造工艺可以很方便地把很多MOS管集成在一块硅片上，因此MOS管在大规模集成电路中得到了广泛的应用。

(5)MOS管具有较高输入阻抗和低噪声等优点，因而也被广泛应用于各种电子设备中。尤其用MOS管做整个电子设备的输入级，可以获得一般三极管很难达到的性能。

(6)MOS管分成结型和绝缘栅型两大类，其控制原理都是一样的。

本篇文章与众不同的是，并没有用过多的篇幅对MOS管和三极管在概念上的区别进行对比。而是从实践出发，用实际发生的情况和现象来对两者进行区分，比单纯概念性上的讲解更加容易理解并方便记忆。

火星撞地球

victory:

星科尔

1、楼说这种横向比较很好
2、同时希望楼主能针对一系列电路也说明一下

qwqwqw2088

星科尔 发表于 2014-12-13 10:57
1、楼说这种横向比较很好
2、同时希望楼主能针对一系列电路也说明一下

好的，有空整理一下

星科尔

qwqwqw2088 发表于 2014-12-14 16:49
好的，有空整理一下

非常感谢^_^

凤凰息梧桐

本篇文章与众不同的是，并没有用过多的篇幅对MOS管和三极管在概念上的区别进行对比。而是从实践出发，用实际发生的情况和现象来对两者进行区分，比单纯概念性上的讲解更加容易理解并方便记忆。
确实是好文章啊  顶