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我国半导体科学奠基人之一王守武在美去世 [复制链接]

       从中科院半导体研究所、中科院微电子研究所获悉,我国著名半导体器件物理学家、中国半导体科学奠基人之一、中科院院士王守武先生因病医治无效,7月30日在美国逝世,享年95岁。


       王守武先生组织领导并亲自参加了我国第一台单晶炉的设计、第一根锗单晶的拉制、第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。1980年当选为中科院院士。
      附:《王守武:执着创“芯”六十年》
     ·1919年,出生于苏州一户名门望族,4岁随父亲来到上海。
     ·1940年代,留学美国,在普渡大学获硕士、博士学位并留校。
     ·1950年代初,携家人回国,参与组建国内首个半导体实验室,并获多项“中国第一”的成果。
     ·1960年代,参与创建中科院半导体所,推动我国研发成功首个砷化镓激光器。
     ·1980年代,受命负责国内大规模集成电路及其工艺研究。
     ·21世纪,耄耋之年仍牵挂祖国超大规模集成电路工业。
       熟悉我国微电子科技领域情况的人们可能都知道,在该领域有三足鼎立一说,说的是黄昆、谢希德、王守武三位在解放初期从国外归来的博士、中科院学部委员。
       黄昆、谢希德两位分别在晶格动力学散射理论和表面态物理方面卓有创建,而王守武则主攻半导体器件物理,偏重于应用。如今,这三位杰出科学家中的前两位已经作古,唯一健在的只有王守武先生。相对于黄、谢两位,王守武的知名度稍逊些,这可能与他一直在科研和产业化一线从事实际工作有关。


       今年是王老推动我国首个砷化镓激光器研制成功的第50个年头,也是他作为首批海归博士回国工作的第63个年头。上世纪80年代中期,王老在上海推动集成电路产业化工作期间,笔者有幸参与接待,因而有机会结识这位享誉业内的科学家。以后,我还有几次机会见到他,最近一次是去年在美国他女儿家。当时,他思维清晰、记忆力强、声音宏亮,就是耳朵有些重听。尽管已是94岁高龄,但王老一直牵挂着祖国超大规模集成电路工业生产情况。
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在该领域有三足鼎立一说,说的是黄昆、谢希德、王守武三位在解放初期从国外归来的博士、中科院学部委员。   详情 回复 发表于 2014-8-8 08:47
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纯净的硅(初级)

沙发
 
客死他乡!说什么呢??他的女儿必定也是人才,可惜咱们留不住!
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我国第一台单晶炉的设计、第一根锗单晶的拉制、第一只锗晶体管的研制和第一根硅单晶的拉制。
厉害!
 
 
 

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一粒金砂(高级)

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在该领域有三足鼎立一说,说的是黄昆、谢希德、王守武三位在解放初期从国外归来的博士、中科院学部委员。
个人签名中空板|防静电中空板www.cheng-sen.com
 
 
 

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