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富士通半导体携手武汉力源继2013年第四季度联手开展FRAM产品免费样片申请活动后,受到广大工程师朋友的大力支持,为了答谢支持此活动的朋友及使得更多工程师朋友受惠,于2014年6-7月再度开展免费样片申请活动,在线填写注册信息和样品申请表即有机会获得Fujitsu FRAM免费样片。还可通过武汉力源热线电话400 800 8051咨询相关产品信息,以及专业的应用工程师为您提供的技术支援。凡参加此次活动的注册客户,在后续的采购中,还可参加“买十送二”的小批量促销活动。数量有限,赶快行动吧!
富士通从1999年开始,已经连续供应FRAM产品15年,为许多客户提供高可靠性FRAM产品,富士通公司独立负责FRAM的整个生产流程,从 芯片开发、到晶圆生产及封装测试, 可靠保证FRAM产品的高品质和稳定性。
样片型号:
I2C串行接口FRAM:
MB85RC16PNF-G-JNERE1
MB85RC64PNF-G-JNERE1
MB85RC256VPF-G-JNERE2
SPI串行接口FRAM:
MB85RS16PNF-G-JNERE1
MB85RS64PNF-G-JNERE1
更多FRAM详情,请浏览富士通半导体官网
具体活动链接
什么是铁电存储器
FRAM (Ferroelectric Random Access Memory)是一种融合了在断电的情况下也能保留数据的非易失性、随机存取的两个特长的铁电随机存储器(内存)。
FRAM的数据保持,不仅不需要备用电池,而且与EEPROM、FLASH等传统的非易失性存储器相比,具有优越的高速读写、高读写耐久性和低功耗性能。
富士通半导体,在日本实施从芯片研发到批量生产的统一管理,从而保证了产品的稳定供货和让客户安心的高质量。FRAM领先于其他下一代存储器,由富士通于1999年开始批量生产。作为世界为数不多的FRAM产品领先供应商,富士通拥有丰富的FRAM量产经验,是要求高可靠性存储器用户的最佳选择。
与传统存储器相比,FRAM具有下列优势:
非易失性
即使没有上电,也可以保存所存储的信息。
与SRAM相比,无需后备电池(环保产品)
更高速度写入
像SRAM一样,可覆盖写入
不要求改写命令
对于擦/写操作,无等待时间
写入循环时间 =读取循环时间
写入时间: E2PROM的1/30,000
具有更高的读写耐久性
确保最大1012 次循环(1万亿次循环)/位的耐久力
耐久性:超过100万次的 E2PROM
具有更低的功耗
不要求采用充电泵电路
功耗:低于1/400的E2PROM
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