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《运算放大器噪声优化手册》阅读【Ⅴ】 运放内部噪声 [复制链接]

本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:13 编辑

运放内部噪声是指运放自身具有的噪声,与外围电路无关。本章主要写怎么分析运放内部噪声。运放内部噪声跟运放的输入级有很大关系。双极性与Jfet,cmos等差别很大。本章得出了一些结论性的文字,如下:一、带宽电压噪声一般变化不大,不会超过手册数据的10% 二,带宽电流噪声变动不会超过典型值的+/-2倍 三,运放噪声随温度的增加而增加。(这个说得有点太笼统了。) 四,1/f噪声一般可以直接参照数据手册。 五,带宽噪声与Iq成反比。 六,FET输入性具有低输入电流噪声 七,轨至轨输入的运放的噪声与输入共模电压有关。 另外本章有一处翻译时的勘误,在第79页,对PTAT和零-TC两种偏置方案对温度影响的比较上有误 《模拟集成电路设计精粹》一书对这些内容讲解得更详细和透彻。推荐。

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本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:13 编辑 运算放大器噪声优化手册   详情 回复 发表于 2014-5-9 22:24
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本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:13 编辑

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