难道STM32F207的内部FLASH不如外接的SPI flash读写速度快？！

liyang121316

难道STM32F207的内部FLASH不如外接的SPI flash读写速度快？！ [复制链接]

我进行了如下实验，二者是都能正常读写出数据的，操作都是先擦除再写入数据，我对内部flash是按着16K擦除的，对外部flash是按照64k擦除的，结果：内部FLASH读写的时候机器明显很卡，把功能移到外部SPI接口的FLASH之后发现程序就不卡了，难道说外部的FLASH比内部的还快，不太可能吧，这个有没有个参考值或者参数什么的？ 难道ST的东西真的这么挫吗？

huo_hu

不是flash擦除慢,是内部flash影响cpu运行而外部不影响.

liyang121316

huo_hu 发表于 2014-4-17 21:28
不是flash擦除慢,是内部flash影响cpu运行而外部不影响.

感谢斑竹在此解答！在其他论坛上有人回答说操作内部FLASH的时候CPU挂起的，就是不明就里，可否深入指点一二？为什么外部的就不影响而内部影响？

huo_hu

flash的访问有独立的硬件电路控制,对flash编程不像写RAM那么简单.外部flash这套控制电路在芯片上所以和cpu没关系,顶多就是有个延时而已.
你可以上电初始化时把可能要写的区域擦掉,ram里开个缓冲区必要时候再写入,一次写入量越大影响就越小了.

huo_hu

flash擦写是有寿命的10万次左右,如果你总是擦写会把它写坏的.

liyang121316

找到了相关的参数（如图）并且进行了实验。确实按字擦除的时候，硬件跟踪发现207擦除一个16K的扇区需要200ms,而另一103的资料说擦除1K大小的页是40ms.二者相差最少5倍。