本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:36 编辑 在EEWORLD组织的“我爱模拟之——TI模拟博文深度阅读季”看到一篇关于去耦电容的文章《去耦电容器......是否真的有必要?》网址是:
deyisupport./blog/b/signalchain/archive/2013/09/17/51504.aspx
文章写得非常好。之前做电路板设计时,也会经常遇到去耦电容的问题。也许受到一些资料的影响,总是认为加去耦电容是应该的,当然加了之后也没有遇到过什么问题。在这篇文章里,作者是遇到了问题之后去深入的研究这个问题的。学习了很多,包括去耦的必要性、电路中加去耦电容与不加去耦电容的测试对比、带去耦合和不带去耦合情况下的电流回路对比,最后引出“还要在去耦电容器、电源和接地端之间采取较短的低阻抗连接”,将良好的去耦合板面布局与糟糕的布局进行了对比,即对为什么去耦电容要接近器件作了回答,给人很清晰的印象,一目了然。
读了该篇文章后,使得我对去耦电容有了更深的认识和理解,以后也要对该类问题多加注意。不过有一事认为应当再深入的解说,即去耦电容的大小应该是多大?有计算公式吗?因为之前看的都说0.01uF~0.1uF,这个应该是经验值,再具体点呢,这个范围是如何得来的?