学模拟+运放的封装级微调( e-Trim)

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学模拟+运放的封装级微调( e-Trim) [复制链接]

读博文《封装级微调与其它失调校正法的比较》（deyisupport./blog/b/signalchain/archive/2014/02/17/51622.aspx）为了减低运放的失调电压（VOS），TI又使出了新的一招——器件的封装级微调。 该方法的调整工作是在器件最终封装后完成。作为用户可能并不会觉得这种方法的存在。 为了更进一步了解，特下载了采用了采用了 封装级微调( e-Trim)技术的一款运放OP192的数据手册。 从手册看来，VOS典型值可达5uV，最高值是25uV。 从 VOS随温度变化的曲线看，表现也很不错的： 对VOS 这方面有特别追求的，可以关注一下，如有机会，找个样片实际测试一下。