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FRAM是一种环保的存储器,写入的数据不能通过物理分析被盗用,没有备用电池要求。FRAM的优势包括五个方面:非易失性、安全性、可靠性、高速和低功耗。具体讲,FRAM可以覆盖(无需擦除),写周期与读周期相等,具有防篡改功能。
MB89R118是富士通RFID LSI最新版本,可添加自定义快速指令,实现更快的数据读/写。通过降低功耗,通信距离也得到了改善。此外,它还具有防冲突功能。所以MB89R118比较适合各种分布式数据处理应用,如供应链管理、物流、零售系统、回收系统、质量控制等。
嵌入了FRAM非易失性存储器的MB89R118数据保存时间长达10年,它还有远胜于其它非易失性存储器的极高的编程次数(高达1010)。它支持广泛的温度范围,工作温度为-20℃至85℃,存储温度为-40℃至85℃,可以用于恶劣环境条件下的质量控制和产品控制。
该产品支持高速内存访问/高速数据处理,其内部存储器FRAM的编程周期为75.52μs/block(8字节)。MB89R118嵌入的FRAM存储器打破了以前传统非易失性存储器的写入瓶颈,写入时间大幅缩短了。
针对更快速度读取大容量数据的需求,可以利用读多块/写多块指令,一次读/写2块数据(16字节)。自定义指令(读多块无限指令)可连续读取最多256块(2048字节)。快速指令是该产品的新功能,可将从MB89R118到读/写器的响应时间缩短一半,实现高速处理。
FRAM的特性有利于数据保护,访问(写入)FRAM以字节为单位。在确保每一次写入有足够在电源电压后,执行每个字节的写入。如果RF电源在访问期间掉电,MB89R118可检测下降的电源电压。在检测后,MB89R118继续用存储在平流电容器中的电荷进行写操作。所以,如果在电源关闭期间进行写操作,用户也不会丢失数据。
总之,FRAM及嵌入FRAM的RFID LSI的特性和独有功能将让它在各种应用中发挥出最大优势。详见富士通官网http://cn.fujitsu.com/fss
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