富士通FRAM心得提交

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申请的样品型号是MB85RC256V，还没上手，先从原理了解一下这个片子的性能。

供电方面没什么说的，2.7V到5.5V宽电压范围，适用于3.3V 和5V的单片机。

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MB85RC256V1M时钟时的电流消耗是200uA，400K时是130uA,待机功耗是27uA左右，说实话功耗方面感觉并不是很理想。不过和铁电的鼻祖Ramtron相比，MB85RC256V这款芯片就不是一搬的强了。同样的容量，Cypress（已收购Ramtron）的CY14C256I待机电流要250uA而MB85RC256V的典型值却只有27uA。

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MB85RC256V的上电时间最大为50ms如果要求不高的话为了降低功耗可以使用I/O口或MOSFET来切换MB85RC256V的电源，在不使用时可以将电源断开。这样就一点电也不费喽。

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其实这些并不算什么，最狠的在下边。

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看看这个片子能写多少次，10^12，什么概念不太懂，用EXCEL粗略算一下看看。

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零太多查不过来，直接用EXCEL的大写功能一看傻眼了，壹兆次，这不扯么，记得EEPROM也能写一百万次啊，铁电怎么就这水平？

不对，重数了一下零发现此兆非彼兆，这个兆代表的是十千亿次，什么概念？

再用EXCEL算下，假如我用最高速率1MHz不断的写入（不考虑其它操作）需要连续写11天才有可能写挂。当然直接对位操作应该是不可能的，所以要重复写一个字节还要乘以8bit再算上写地址的时间，估计没有个把月下不来。本来打算写一个程序看测试一下看看，为了验证什么时间写挂需要在写入后断开然后再上电才能证明数据是否被保留下来了。因为据说铁电存储器即使挂了也可以当一片RAM来用，如果不掉电即使挂了写进去的数据也是可以正常读出来的。

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这就是我所认识的神奇的铁电，神奇的MB85RC256V，更低的功耗，更快的写入速度，更长的数据保存时间，更多的写入次数。

wstt