富士通FRAM心得提交

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以前项目中使用的数据存储器一般是Flash 或EEPROM, 它们都是电可擦写可编程的存储器, 虽然与EEPROM 相比, Flash 在集成度方面有无可比拟的优越性, 但是Flash 的编程复杂度比EEPROM 复杂很多, 而这次试用了FRAM存储器, MB85RS64 是带有工业兼容SPI接口的64Kb非易失性FRAM，充分发挥了FRAM技术的高速写入能力。在硬件上可以直接替代相应的EEPROM, 而且性能更佳, 并能以高达20MHz的总线速度执行无延时的读写操作, 同时提供10年的数据保存能力, 以及几乎无限的读写次数和极低的工作电流。

对于那些需要频繁且快速写入操作及/或低功耗工作的应用而言，MB85RS64的性能凌驾同类的非易失性存储器解决方案。这些应用包括从先进的数据采集 (该应用中读写寿命非常重要) 到要求严苛的工业控制 (该应用中较长得写入等待时间和较短得读写寿命会导致数据丢失) 等各种应用。与串行EEPROM 不同，MB85RS64能以总线速度执行无等待写入操作，而且功耗更低。

FRAM 利用铁电晶体的偏振极化特性实现数据存储，与EEPROM 以及Flash 相比，FRAM 具有写读写速度快（能够像RAM 一样操作, 读写速度为EEPROM、Flash 的1000 倍以上），另外FRAM 在擦写时不需要高压, 因此读写功耗极低（为EEPROM、Flash 的1/1000 — 1/100000）, 尤其适合低功耗的应用场合。另外, 目前富士通半导体的FRAM 的读写次数可达1万亿次(接近无限次), 与flash 和EEPROM 相比大大提高, 不用烦恼几年后产品中的EEPROM 或Flash 坏了, 质量高, 稳定性好。

FRAM 比Flash 和EEPROM 有很多优点, 功能上已覆盖了Flash 和EEPROM 大部分, 优胜劣汰是大趋势, 但在价格上目前还远无法与Flash 和EEPROM 争锋, 所以FRAM 目前的应用还不能完全取代Flash 和EEPROM。

白丁

不仅是价格，容量大小也不能和flash相比