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并不是所有的情况都是用50欧姆最好。例如,8080处理器的很老的NMOS结构,工作在100KHz,没有EMI,串扰和电容性负载的问题,它也不能驱动50欧姆。对于这个处理器来说,高的阻抗意味着低功耗,你要尽可能的用细的,高的这样有高阻抗的线。
人家网上好多人都分析过,为什么选50欧阻抗,这主要依据了以下三个公式。
电缆的趋肤效应损耗L(以分贝做单位)和总的趋肤效应电阻R(单位长度)除以特性阻抗Z0成正比。总的趋肤效应电阻R是屏蔽层和中间导体电阻之和。屏蔽层的趋肤效应电阻在高频时,和它的直径d2成反比。同轴电缆内部导体的趋肤效应电阻在高频时,和他的直径d1成反比。总共的串联电阻R,因此和(1/d2 +1/d1)成正比。
公式3分离出常数项
,有效的项((1+d2 /d1 )/ln(d2 /d1 )) 确定最小点。仔细查看公式三公式的最小值点仅由d2 /d1控制,和ER以及固定值d2无关。以d2 /d1为参数,为L做图,显示d2 /d1=3.5911时,取得最小值。假定固态聚乙烯的介电常数为2.25,d2 /d1=3.5911得出特性阻抗为51.1欧姆。很久之前,无线电工程师为了方便使用,把这个值近似为50欧姆作为同轴电缆最优值。这证明了在50欧姆附近,L是最小的。
[ 本帖最后由 lonerzf 于 2013-12-11 17:32 编辑 ] |
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