无桥PFC

dontium · 发表于2013-11-20 19:15

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本帖最后由 dontium 于 2015-1-23 11:46 编辑

无桥PFC的文章

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dontium · 发表于2013-11-20 20:52

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BRIDGELESS P.F.C..pdf (161 KB, 下载次数: 47)

一种基于新型无桥Boost PFC的通信电源AC-DC变换器设计.pdf (5.1 MB, 下载次数: 67)

不使用桥路的PFC.pdf (527.33 KB, 下载次数: 43)

windowsww

采用氮化镓FET的无桥PFC 效率达99.3%.pdf (629.42 KB, 下载次数: 49)

TDPS500E2C1-KIT PFC 1000W无桥PFC应用.pdf (1.56 MB, 下载次数: 49)

氮化镓产品的优点:
A,可以高频化,传统硅在高压下工作频率做不到200K以上.体积下不来,氮化镓可

以做到几M的频率,300K-500K的设计可以使产品小型化.
B,体内没有PN结,没有二极管,但有二极管的续流特性,反向续流损耗大大降低.
C,氮化镓的结电容远小于COOL-MOS, MOSFET,上升,下降,死区损耗明显降低.
D,开关损耗很小,相对MOSFET可忽略.正因开关损耗很小,EMI反好.不用担心高频

化后EMI解决不了事.

传统无桥PFC受硅材料MOSFET的限制,因为MOSFET/COOL-MOS体内均有一个体内二

极管.这个二极管速度很慢,均在100nS以上.这样用在无桥PFC中加大了续流损耗

及效率.
氮化镓MOS的出现(HEMT)解决了这个问题, 氮化镓MOS是体内无真正的二极管,没

有形成PN结,但有导电层,所以内部没有寄生二极管,但有二极管的续流特性,从

而真正作到0.
采用氮化镓的无桥PFC可以将效率做到99.3%以上. 同时体积会大大降低.

莱昂纳多

楼主简直是超人啊。

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