----内置于 TPS51116 的转换开关采用称作 D-CAP?模式的控制技术实现 100 纳秒 (ns) 的负载变动幅度瞬态响应,并减少外部输出电容器的数量。D-CAP 模式还消除了采用外部回路补偿的麻烦;但是,如果要求更多控制的话,可以改变 TPS51116 的回路补偿,以支持任何类型的输出电容器(其中包括陶瓷电容器)。集成的 LDO 要求2x10-μF的陶瓷输出电容器,可通过减小输入电压来大幅降低系统功耗。VDDQ 电压电平能够支持许多设计类型,其可调节电压能够为 DDR 提供 2.5V 的固定电压,或为 DDR II 提供 1.8 V 的固定电压。 睡眠状态不仅可以加快产品的上市时间,还能提高内存可靠性 ----除了具有高性能之外,TPS51116 还可管理睡眠状态控制功能以提高 DDR内存系统的可靠性。该集成特性可内部进行控制功能设计,而非花费更多的时间进行外部设计,这就相应加快了产品的上市时间。此外,TPS51116 可确保 VTT 低于 VDDQ,这就进一步提高了 DDR 的可靠性。 TPS51116 的关键技术特性: 宽泛的输入电压范围:3 V 至 28 V; D-CAP?模式,可实现 100ns 的负载变动幅度响应; VTT & VTTREF 的精度范围为 +/- 20-mV; 睡眠模式操作,并带有输出放电的可选择软关闭; 就 VTT 而言仅要求一个 2x10μF 陶瓷输出电容器; 过热关断、电源状态良好指示、过压保护以及欠压保护等功能; 符合 DDR 以及 DDR II JEDEC 规范。 适用于空间有限系统的新型 3-A 终结调节器 ----除了高度集成的 TPS51116 之外,TI 还推出了 3-A 吸收/提供跟踪终结调节器,其采用 10 引脚 MSOP 封装,是专门为小空间为首要设计任务的低成本 DDR 与 DDR II 系统而精心设计的。TPS51100 包括许多与 TPS51116 器件的 LDO 部分相同的特性,其中包括 2x10uF 陶瓷输出电容器及远程传感功能。可降低 3A 终结调节器的输入,这样有助于减小系统的总功耗。如欲了解更多详情,敬请访问:www.ti.com/sc04089a。 供货情况 ----TPS51116 DDR电源 IC 已投入量产,目前可通过 TI 及其授权分销商进行订购。该器件采用 20 引脚 PowerPAD? HTSSOP 封装。批量为千件时,建议零售单价为 1.20 美元。TPS51100 低成本 DDR 电源 IC 目前已开始供货,批量为千件时的单价为 0.80 美元。通过访问 power.ti.com 可获得评估块、应用手册以及 TI 的新型 VIP 电源管理选择工具。笔记本 PC SineOn?模拟产品目录包括 TI 电源管理、连接、音频功放、数字均衡器、数字视频以及逻辑产品等在内的完整列表,该列表可以通过访问如下网站下载获得:http://www.ti.com/sc/sineon。 |