关于silvaco软件仿真LED外延的问题

瓷娃娃

关于silvaco软件仿真LED外延的问题 [复制链接]

请问群里有高手用silvaco TCAD仿真分立器件吗，为什么我用该软件仿真GaN基LED，跑了几次代码，复合效率分布图的数量级居然不一样！代码是我自己写的，如果用库里自带的GaAs基LED模型跑出的数据就会很稳定，是我自己设置的LED结构有问题吗,求高手不吝赐教。

Grizabella

有可能是你设计的外延层有问题，导致性能不稳定。比如每一层的厚度、掺杂类型、是不是引入量子阱结构啊什么的。

瓷娃娃

那您帮我分析一下，单量子阱的模型如下：　　其中，蓝宝石衬底0.397μm；省略GaN缓冲层，其上生长n-GaN,厚度为3μm，其掺杂浓度为5×1018cm-3;其上生长InGaN薄膜厚3nm，未掺杂；其上生长p-AlGaN,厚度为100nm，其掺杂浓度为1×1019cm-3;其上生长p-GaN层,厚度为200nm,其掺杂浓度为1×1019cm-3；最后P型电极，无厚度。省略n区电极。

zeyug

你好！我现在在做LED的仿真，想请问一下silvaco库里自带的模型的代码从哪里获取呢？