硬件死区电路问题

樊旭超

硬件死区电路问题 [复制链接]

 

前些天在做逆变的时候用的硬件死区，电路图是在网上找的：



   按照这个电路图，我改了一下电阻电容的参数实际也做出来了（死区时间有大概2US，用示波器看的），我的修改是两个电容都用的102，上面的电阻2K，下面的4.7k，U2取了两次反，然后我的问题是：

  1.  这个死区时间是怎样计算的？   我是这样理解的： RC就是一个延时电路，然后上升沿的时候上面延时2k*102约为2US，下面电路延时4.7K*102约为4.7US，两者相差就大概为2US，

但是下降沿的时候那个2US时间如何出来的我就不懂了

2. 那个1N4148作用是什么， 为什么两个反着的？

在路上的旁观者

qwqwqw2088

1，楼主计算死区时间是正确的。
2.感觉二极管是同向的应该可以正确调整。
3.同时，也非常感兴趣，想分享你在网上找的资料，，

给个proteus的仿真资料，可以调整一下看看，仅供参考！
硬件死区制作1us仿真文件.DSN (88.37 KB, 下载次数: 331)

2013-6-11 09:52 上传

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樊旭超

版主，打不开

qwqwqw2088

用Proteus7.7以上版本
论坛有10和谐版，搜一下

樊旭超

版主，我用Protues打开你给的那个图后本来想该参数看看的，但是不会用这个软件，没办法，只好用multisim仿了一下

这个是我仿真的电路图：   信号源给的是方波，9ｋ的频率：

　　　　　　
然后示波器的波形如图１：

　　　　　　　

为了看清楚死区时间，我把Ａ通道设为２Ｖ，Ｂ通道５Ｖ，然后这个死区时间大概就２US左右

[ 本帖最后由 樊旭超 于 2013-6-14 18:35 编辑 ]

樊旭超

但是我如果把上下两个1N4148都改成左正右负的话，其他参数都不变，出来的波形如图2所示：右边的死区时间没有了

                                    

如果把上下两个1N4148都改成左负右正的话，出来的波形如图3所示：  左边的没有了，右边也重合了好多





     所以我感觉这个二极管的正负还是很重要的，只是我不懂它的作用。

[ 本帖最后由 樊旭超 于 2013-6-11 17:13 编辑 ]

chunyang

“死区”时间有RC常数决定，充电和放电周期是相同的。二极管的接法在于分别应对上升沿和下降沿。

qwqwqw2088

其实仿真都是参考，，
逆变电路的死区设置有多种，如果用TL494集成芯片，它有死区时间比较器，设置一下占空比即可。
所以要问楼主参考的什么电路，
楼主用的电路属于不对称半桥互补的驱动，所以要设置不同的电阻和电容才能形成死区，应该也能调整出来，，变化电阻和电容值，，
如果对称的，就是二极管同向，且要设置好阻容值了，并且上下参数一样即可，，充放时间一样，，

[ 本帖最后由 qwqwqw2088 于 2013-6-11 19:20 编辑 ]

qwqwqw2088

至于二极管的作用，要了解死区的意思
避免直流电压短路，同时续流。

说一些大道理吧，估计楼主应该也了解过，在逆变电路同一桥臂上的两个开关器件不能同时处于导通状态，工作在互补导通，即其中一个导通时，另一个必须截止反之亦然。信号开通和关断都需要一定的时间，在完全关断进入截止状态以前，同桥臂另一方不能加开通信号。也就是从一个开关器件的关断信号发出，往往是下降沿，到同桥臂另一个开关器件加上开通信号，往往是上升沿，存在一段时间延迟，这个延时就是死区时间。

樊旭超

版主，你看我这样理解对不对：

刚才睡了一觉醒来后又仿真了一下，这个是我的图：

           

我是这样想的，高电平的时候，下面的D2导通，下面的电路不经过电阻直接给C2充电，所以C2的电压上升很快，如图中的箭头1所示。

但是上面的电路由于D1反向截止，所以只能通过R1给C1充电，所以C1上的电压就上升的慢。

然后下降沿的时候，D1导通，D2截止，C1放电回路不经过电阻，所以C1的电压降落就很快，C2只能通过R2放电，所以C2上的电压就降落的慢，

如我的箭头2所示。然后把这两个波形再送给7414后主要就是去掉那些沿，然后死区时间就出来了。

不知道我这样理解对不。

樊旭超

版主我是用IR2110驱动的。
      430产生SPWM波，然后加上死区时间后送给了IR2110后直接送往全桥了

qwqwqw2088

仔细看了，，这个不对称的半桥阻死区的容值在实际电路中估计很不好确定。

qwqwqw2088

IR2110的死区时间好像是一定的，外部不能调整，它控制上下两开关管的通断比较方便。
用单片机产生SPWM波稳定性好，是今后发展的趋向。

樊旭超

恩，我当时是用了好多电阻一个一个试的。

版主我还有一个问题，就是如果按照我说的那样，那么在低电平的时候，两个电容的放电回路在哪里？

是把能量全部消耗在电阻上了吗？

qwqwqw2088

理解的没错

499362154

MARK

樊旭超

kobe1941

科普贴，学习了，

nepudqyzdh

qwqwqw2088 发表于 2013-6-12 18:38
IR2110的死区时间好像是一定的，外部不能调整，它控制上下两开关管的通断比较方便。
用单片机产生SPWM波稳定性好，是今后发展的趋向。

大神，IR211系列芯片控制H桥逆变不用考虑死区问题吗？能不能详细给小弟讲讲