MSP430 Flash的读写

devil143

MSP430 Flash的读写 [复制链接]

小弟最近需要用Msp430的Flash存储功能，看了网上大量的资料，可是都云里雾里的没看明白。具体由这些疑问：
如果MSP430 Flash中已经存在若干数，具体数量不知。当想再向Flash中写入一个数据时，怎么确定写入地址，怎样操作保证原来的这若干个数还存在？如果Flash中已存在511个字节，我想在此基础上再向Flash中写入5个字节，具体怎么操作？如果想将Flash中某一段的若干个数读出来，但是具体有多少个数不知道，怎么操作？若果Flash已满，想通过移位覆盖前一个数，即原来第1个数放到第0个数的位置，第二个放到第一个数的位置，以此类推，怎么操作.希望能有具体的例子

huo_hu

另外建张表把可用的flash组织起来;如果写入小于一页的内容先读出来修改后再写;指针记录写入点位置不用捣腾

kingheimer

http://www.ourjcdz.com/news_info.asp?id=198这里有详细的介绍MSP430内部FLASH操作的说明，可以看一下

devil143

谢谢，后来又遇到这样的问题
程序如下
void write(int16_t value_2,int16_t value_3)
{
  int i;
  char buf[512];
  int *Data_location_ptr;
  int *Segment_location_ptr;
  char *Flash_ptr;
  int16_t Segment_location=0;
  int16_t Data_location=0;
  Segment_location_ptr=(int *)0x1000;
  Data_location_ptr=(int *)0x1080;
  Segment_location=*Segment_location_ptr;
  Data_location=*Data_location_ptr;
  
  int16_t x= Segment_location*0x200;
                           // Flash pointer

  Flash_ptr = (char *)(0x8000+x);
  for(i=0;i     buf=*(Flash_ptr+i);
  buf[Data_location]=value_2;
  buf[Data_location+1]=value_3;
   
  FCTL3 = FWKEY;                            // Clear Lock bit
  FCTL1 = FWKEY + ERASE;                    // Set Erase bit
  *Flash_ptr = 0;                           // Dummy write to erase Flash seg

  FCTL1 = FWKEY + WRT;   

   for(int i=0;i     *(Flash_ptr+i) = buf;
Data_location+=2;
  while(Data_location==512)
{
   Data_location=Data_location-0x200;
   Segment_location ++;
}
  *Data_location_ptr=Data_location;
  *Segment_location_ptr=Segment_location;
  FCTL1 = FWKEY;                            // Clear WRT bit
  FCTL3 = FWKEY + LOCK;                     // Set LOCK bit
}
Flash的地址是0x8000-0xffff
我发现在写数据的时候 0x6DEC位开始也同步写入相同数据，一直到6fff.然后报下面的错
The stack pointer for stack 'Stack' (currently Memory:0x6DEC) is outside the stack range (Memory:0x6F80 to Memory:0x7000)

devil143

谢谢，我看看