一个PN结的场效应管

zck_2012

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目前，MOS工艺的绝缘栅场效应管由于其优越的性能在分立元件和集成电路方面都得到了广泛的应用。由其结构可以看出，目前的场效应管是在沟道的两端各扩散一个PN结，形成一种PN结背靠背连接的结构。
以P型衬底N沟道增强型场效应管为例，在电路中，源极（S）接电源负极，漏极（D）接电源正极，当栅源电压VGS=0时，因源扩散区接低电位，电子载流子将可以顺利通过源极-衬底间的PN结到达漏极-衬底间的PN结，受漏极-衬底PN结的阻挡，电子载流子无法通过，沟道电流ID=0。故此，在实际使用中可以将源极与衬底连接在一起使用，以简化电路结构。
由上述分析可以看出，场效应管的源极-衬底间PN结是可以短接在一起的。也就是说，这个PN结的存在是没有必要的。
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