射极偏置电路的低频小信号等效电路及变换

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图1

图2

图3

放大电路的低频响应主要取决于外接的电容器，如隔直（耦合）电容和射极旁路电容。

要分析电路的低频响应，首先画出它的低频小信号等效电路，如图1所示。

为便于分析对电路作以下作一些合理的近似，使其简化。

1、设 远大于放大电路本身的输入阻抗，以致Rb的影响可以忽略；

2、Ce的值足够大         

于是可除去Re、Rb得简化电路如图2所示。

3、把Ce折算到基极电路，折算后的容抗为

即折算后的电容为

基极回路中的总电容C1

且一般 ，Ce的作用可忽略。这样可最后的简化电路图3。

　

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射极偏置电路低频响应及下限截止频率的确定

射极偏置电路简化后的低频等效电路如图所示。

由图可得

设中频区电压增益为

                                    

因此

                        

式中

                                    

                                 

  如果fL1和fL二者之间的比值在四倍以上，则可取较大的值作为放大电路的下限频率。

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共基放大电路的高频响应

根据如图（a)所示的共基电路交流通路，可画出其高频小信号等效电路如图（b)所示。首先，我们来考察BJT电容Cb￠e和Cb￠c以及负载电容CL对高频响应的影响。

　

(a) 交流通路	(b) 高频小信号等效电路

一、Cb￠e的影响

由共基电路高频小信号等效电路可见，如果忽略rbb￠的影响，则Cb￠e直接接于输入端，输入电容Ci=Cb￠e，不存在密勒倍增效应，且与Cb￠c无关。所以，共基电路的输入电容比共射电路的小得多，fH1很高。理论分析的结果 。

二、Cb￠c以及负载电容CL的影响

如果忽略rbb￠的影响，则Cb￠c直接接到输出端，也不存在密勒倍增效应。输出端总电容Cb￠c+ CL，输出回路时间常数为 ，该输出回路决定的fH2为

如果 和CL较大，则fH2较低。所以说，共基电路与共射电路一样，承受容性负载的能力较差，负载电容CL将成为制约共基电路高频响应的主要因素。而对于纯阻负载，共基电路的高频特性将非常好。