Everspin推出业界首款16Mb MRAM

coco1468598266

Everspin推出业界首款16Mb MRAM [复制链接]

磁性随机存储器(MRAM)和集成磁(Integrated Magnetic)产品的领导厂商Everspin科技公司日前推出16Mb MRAM， 进一步强化了该公司在MRAM领域的领导地位。现在，所有需要无电数据保持以及SRAM性能的应用都可使用具有非挥发性、高性能、以及高可靠性优势的MRAM技术。

　　Everspin科技公司首席运营官Saied Tehrani表示：“Everspin将持续快速扩展MRAM产品组合，以协助更多客户实现产品差异化的目标。根据产品发展蓝图，我们将不断提高MRAM产品的容量，并以极具成本效益的方式保持MRAM的独有特性。”

　　MR4A16B是一款3.3V、并行I/O非挥发RAM，其超快的存取周期仅为35ns，并允许无限制的读/写循环。在每次写入后，资料能持续保存超过20年。此外，与其它存储器不同，MRAM还可免除因宇宙射线所产生的软错误率(SER, soft error rate)。这款16Mb MRAM由位宽为16的1,048,576个字组成。引脚和功能可与异步SRAM兼容。MR4A16B目标应用为工业自动化、机器人、网络和数据储存、多功能打印机、以及其它许多传统受限于需采用SRAM设计的系统。

　　MR4A16B提供小尺寸48引脚球栅阵列(BGA)封装和54引脚的薄形小尺寸(TSOPII)封装两种形式。这些封装均能与相似的低功率SRAM产品和其它非挥发RAM产品兼容。

　　供货情况

　　新款16Mb MRAM系列包括商业级(0℃至+70℃)和工业级(-40℃至+85℃)两种温度范围。现已可提供样品，并预计于2010年7月开始量产。价格咨询请联系Everspin销售部和代理商。

　　Everspin的产品系列

　　Everspin的MRAM技术具高可靠性、快速读/写、即时开启、非挥发性、和无限次擦除等特性。加入新的16Mb MRAM成员后，现在Everspin的产品组合包括提供BGA和TSOP两种可选封装、容量从256Kb到16Mb的8位和16位并行I/O产品，以及采用DFN封装、容量从256Kb到1Mb的串行I/O产品。

 

我司是美国Everspin半导体中国区指定代理.
Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器，其原理是利用电子自旋的磁性结构，
来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材
料中存储信息，以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。


-----------------------------
COCO(龚平)
Ramsun International Limited.
英尚国际有限公司
M/P:86-13751194540
Email:coco@sramsun.com
QQ:1216167026// 1468598266
Web:www.sramsun.com

主要代理MRAM（非易失性存储器）,可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM，EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有：

串口：256Kbit,1Mbit,4Mbit

型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN
MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP


并口（*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA
MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA


并口（*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装
MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA


我司产品可完全替代FRAM(铁电存储器）,NV-SRAM,MRAM,如有需要请随时和我们联系.
如以下型号：

CY14B064I CY14ME064 CY14B101KA CY14B108N
CY14B064P CY14B101Q CY14B101LA CY14B256KA
CY14B101Q CY14C101J CY14B101MA CY14E256LA
CY14B101I CY14B256P CY14B101NA CY14V101LA
CY14C101I CY14B256Q CY14B104K CY14V101NA
CY14B101P CY14B512I CY14B104LA CY14V104LA
CY14E256Q CY14B512P CY14B104M CY14V104NA
CY14MB064 CY14B512Q CY14B104NA STK11C88
CY14MB256 CY14B101Q CY14B108K STK14C88
CY14B108M STK16C88 CY14B108L STK15C88


FM23MLD16 FM25H20 FM1808 FM18W08
FM22L16 FM25V10 FM18L08 FM1808B
FM22LD16 FM25V05 FM24C512 FM28V010
FM21L16 FM25V02 FM24L256 FM25L256B
FM21LD16 FM25W256 FM24C256 FM25256B
FM28V100 FM25V01 FM24V05 FM24V10
FM28V020 FM25L512 FM24W256 FM24V01
FM24V02


如有需要请随时和我们联系.
我们原厂供货，价格&交期较有优势.
谢谢！