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纯净的硅(高级)

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模电的那些细节 [复制链接]

这些天快考试了,把模电书重新看了一遍,果然是温故而知新,虽不至于可以为师矣!但把它贴出来一起分享分享总是好的,如果大家都注意到了那就当是我知识水准太低,大家也别笑,如果你们也没有注意到,那就一起探讨探讨,如若我领悟错了还请各位老师多多指教。
对于三极管和场效应管的输出特性曲线,都是在输入电流或Ugs不连续的情况下讨论的,这是偶然呢还是必然呢?

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应该是必然的吧 输出曲线的斜率(就是曲线后较平的那部分)是取决于一个transistor的early voltage的  详情 回复 发表于 2012-5-26 06:37
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一粒金砂(高级)

沙发
 
有点没太明白, 呵呵
你的图是用什么软件分析出来的?
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裸片初长成(高级)

板凳
 
这是二维图形所得的必然结果
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纯净的硅(高级)

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回复 沙发 聚众 的帖子

我用的是Multisim,里面有一个工具专门用来侧这些特性的
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纯净的硅(高级)

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再看MOS管的输出特性曲线,一般来说对于三极管测试的输入电流都是均匀的,即各条曲线的间隔基本相等,而对于MOS管各条测试曲线之间的距离逐渐增大,类似于1x1,2*2
3*3......

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纯净的硅(高级)

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回复 板凳 dontium 的帖子

呵呵,我觉得不止这么简单,且听我细细道来
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纯净的硅(高级)

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晶体管是一种小信号模型,注意到晶体管对交流信号的线性放大作用(Ic=βIb)是在低频小信号下的模型的条件下才满足的,而这里的晶体管输出特性曲线只是说明其静态工作点,交流信号就是在那些曲线之间波动,此时在坐标和其他条件都选定的情况下,他们(Ic和Ib)成比例,所以是均匀的
而对于场效应管所以应该是一二次幂的形式增加。
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一粒金砂(中级)

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应该是必然的吧 输出曲线的斜率(就是曲线后较平的那部分)是取决于一个transistor的early voltage的
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