杂散电容，寄生电容，分布电容？

wonderfull

杂散电容，寄生电容，分布电容？ [复制链接]

最近在处理一些工程问题时对电容的一些说法犯难了，哪位大侠能准确地解释一下杂散电容，寄生电容，分布电容这三者吗？

dontium

三者没有什么区别，只是说法不一而已。
对于集总参数来说，这三种说法都说明了器件的实际容量与在电路中表现的数值不一的情况，说明了在使用过程中所引入额外的电容。

hk6108

寄生电容 较宜定位为 针对功能核心的参数，例如PN结的电容现像。

wonderfull

谢谢！ 那这些电容都是在使用过程中应该避免出现的，有没有好的办法对之消除呢？

wonderfull

嗯，那杂散电容呢，比如说在构造电容阵列时，第一个电容对其它的电容有影响吗，对最后一个电容影响大吗，有什么办法减小或者消除呢？谢谢！

chunyang

说法的含义是相同的，只是有人在针对器件时多用“寄生”，针对系统时多用“分布”。

chunyang

原帖由 wonderfull 于 2012-5-22 11:01 发表 谢谢！ 那这些电容都是在使用过程中应该避免出现的，有没有好的办法对之消除呢？

 

对于客观存在想避免是不可能的，只能想法规避其不良影响，比如在高频电路中要通过合理选择元件以及合理设计PCB，有时还需做出适当补偿（指元件参数方面的选择），而有时还要利用分布参数来实现特定的电路或元件，比如微带器件等。

chunyang

原帖由 wonderfull 于 2012-5-22 11:07 发表 嗯，那杂散电容呢，比如说在构造电容阵列时，第一个电容对其它的电容有影响吗，对最后一个电容影响大吗，有什么办法减小或者消除呢？谢谢！

 

这个要具体电路具体分析，器件彼此之间会有相互影响，并非特别针对其中的某一个。

hk6108

杂散与分布 有地域属性，内地常见杂散，港澳多用分布，
我发觉，『杂散』总是不讨好的，而『分布』则可以是有利用价值的，
另外，有源器件都是由 PN结 组成的，PN结 是功能核心而不是分布环节，那些造成卡死现像的「可控硅」可真个是彻头彻尾的寄生元件。

wonderfull

谢谢指教！

wonderfull

嗯，对于补偿，除了元器件参数的选取还有什么其他的思路吗？

dontium

原来由于正在忙着的，我的回复有些马虎，请各位见谅。

 

 

“寄生”就是生产器件的某个功能时所不可避免地产生另一种现象，正象三楼所说的，生产二极管的时候，就现代工艺，不可避免地产生了电容；生产MOSFET时，不可避免地产生了个二极管。

 

我的理解，寄生电容，就是生产器件时不可避免地产生的电容。

 

分布电容，一般不是针对器件的，多数是讲在电路中产生的附加电容，例如电路中两个器件，它们肯定会有电容存在，C=εS/4πkd或C=kS/d，即是PCB上走条线也会有电容存在。

 

所以我的理解，分布电容应该是指器件的导体间的相对距离所产生的电容。

 

至于杂散电容，我的理解应该是除以上两种电容外的其它形式的电容，例如，两个器件相互的线性或非线性的影响所产生的电容，两个器件相互感应所产生的电容等，总之，这种电容具有“杂”和“散”的意思

 

至于补偿，给个很早期的例子：

 

这是早期收音机上用的典型中放电路（示意性地），其中的C2就是为了补偿三极管CB间的电容而使用的，它的原理是，变压器T1将信号倒相经过C2对CB间的电容补偿，

 

现在的器件的性能提高了好多，但是这种方法仍然值得学习。

 

 

 

[ 本帖最后由 dontium 于 2012-5-24 21:51 编辑 ]

wonderfull

讲的很详细，谢谢！