关于半导体的弱弱的问题

bluesunqiu

关于半导体的弱弱的问题 [复制链接]

课本上说PN结的形成是多子的相互扩散与复合导致的，我不明白的是P区中的空穴是怎么“扩散”到N区呢？应该仅仅是N区的电子“扩散”到P区与“空穴”复合吧？因为我觉得“空穴”是不能移动的啊？
多谢指教。

hurong

半导体中存在着两种载流子 电子 与空穴 P空穴多 N电子多

bluesunqiu

是啊，可是“空穴”从形成原理上应该是无法“移动”的啊？

annezuo

如果温度升高会使少数的价电子挣脱共价键的束缚成为自由电子，原来的位置出现空穴。理解为空穴带正电，自由电子带负电。N型半导体，是电子的浓度大于空穴的浓度，P型则相反。什么书上也没有说过空穴可以走啊，只是浓度的差异，使电子运动。相对论知道吗？

annezuo

知道什么是载流子吗？

ayowala

举个例子 有一列座位 除了最后一一个 其余座位上都座了人 然后第一个人去最后一个 剩下的人往前做一个 这样不就是 那个空的座位往前移了一个位置么 空穴的移动是相对的移动

hyz457

空穴可以看成 是载流子 而载流子是能够运载电荷的粒子 当然能移动. 书上说由于空穴的存在 价电子将按一定的方向依次填补空穴 也就是说空穴也会产生定向移动.

qianfan

前面的电子移到后面来，填补后面的空穴，前面就变成空穴了，就相当于空穴移到前面去了

hurong

前面的电子移到后面来，填补后面的空穴，前面就变成空穴了，就相当于空穴移到前面去了 这样应该可以理解了把