2698|0

294

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

楼主
 

KZ100探测仪中的“科普彗星”--吉时利4200半导体特性分析系统 [复制链接]

吉时利4200半导体特性分析系统用于偏置探针以及采集集成电路器件漏电流和漏源电压 (IDVDS) 数据。该系统配备44200-SMU[1] (-测量单元)以及三轴线缆。在扫描模式下,将速度设置为快速,可以获得IDVDS曲线。源电流[2]IS)和漏电流ID)的电流上限都被设置为500 µA,并在0.0 V1.5 V(步长5 mV)对漏极电压[3]VDS)进行扫描。通过在1.5 V100 nA上限内对栅极电压[4]VGS)进行步进,可以测得一系列IDVDS曲线。为了把电荷感应带来的干扰降到最小,在数据采集之前和数据采集期间,显微镜不发出扫描光束

 

对于指定的VGS,在ID几乎恒定的大部分工作范围内,MOSFET的行为与跨导器件类似。这个工作范围通常称作饱和区。当漏源电压(VDS)较小时,在源电流(ID)与VDS呈线性比例的范围内,MOSFET器件的行为则与电阻相似 ,这个区域通常称作线性区。

 

如图1所示,利用KZ100系统从90nm节点n-沟道MOSFET器件采集的IDVDS数据具有典型MOSFET的线性区和饱和区。图1a给出集成电路在正向偏置时的漏电流,图1b给出同一个集成电路在反向偏置的漏电流。这个比较是确定器件功能是否正常的一种方法。图1a1bIDVDS曲线非常相似,这说明被调查的电流器件功能如同预期一样。

1a:利用KZ100纳米操纵器系统测得的n –沟道MOSFETIDVDS曲线

1b:在反向偏置情况下,对图4a 中器件进行测试。

 

对于p-沟道MOSFET,当栅极电压VGS)相对于源电压VDS)为负时,ID电流流动。通常,p-沟道 MOSFET具有较高的栅极阈值电压和较低的饱和电流。图2给出90 nm节点p-沟道MOSFET器件IDVDS系列曲线。这些p-沟道曲线是通过KZ100系统采集的,曲线表明:同n-沟道MOSFET相比,p-沟道MOSFET性能较差,这和预期一样。

2:利用KZ100系统测得的p-MOSFETISVSD曲线

 

了解更多信息
了解有关吉时利4200半导体特性分析系统的更多信息,请点击http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs,或登录微博http://weibo.com/keithley)与专家进行互动。



[1] 4200-SMU http://www.keithley.com.cn/products/semiconductor/reliabilitytestsolutions/4200scs/?path=4200-SMU/Documents#4

[2] 源电流:http://www.keithley.com.cn/events

[3] 漏极电压:http://www.keithley.com.cn/semi/4200scs/4200piv

[4] 栅极电压:http://www.keithley.com.cn/semi/resource

点赞 关注
 
 

回复
举报
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

随便看看
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/8 下一条
ADI &文晔 探索季第一站,邀您在活动帖跟帖,ADI资深工程师将与您一道寻求解决之道! ...
春晚,最出圈当属穿着棉马甲跳秧歌的机器人”秧Bot”。
转手绢、飞手绢、变换队形,精准度和稳定性甚至超越人类,这背后少不了电机控制技术。

查看 »

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

 
机器人开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表