LPC1114是否可以做片内数据掉电存储？

shoooter · 发表于2011-11-25 14:04

LPC1114是否可以做片内数据掉电存储？ [复制链接]

看datasheet上好像没有片内eeprom，那是否可以做数据存储呢？还是要用其他方法实现呢？

zhaojun_xf · 发表于2011-11-25 17:10

不知道你是什么意思，LPC1114是没有EEPROM的，需要掉电存储的话需要外加芯片

shoooter · 发表于2011-11-28 09:40

是的，就是想解决没有内部EEPROM的问题，是否想过把flash变成内部EEPROM，好像flash读写不能单字节操作，只能页操作，但是PLC1114频率足够高，这不是问题。如是要是外扩芯片那没意思了。不知是否有人实际做过？

ssawee · 发表于2011-11-28 10:00

可以用新出来的lpc12

chunyang · 发表于2011-11-28 10:50

原则上可以使用程序FLASH来模拟，但前提是可对任意扇区独立编程，这可能需要自己编写固件程序来实现，先仔细看看器件手册，看原固件程序是否支持这样使用。

shoooter · 发表于2011-11-28 14:10

看了下手册，应该能行，不知道是否有人做过

chunyang · 发表于2011-11-28 19:07

如果支持，事先判断好程序占用的空间，避开之后开启空余的扇区做IAP存储即可。

xudeng22 · 发表于2011-11-28 22:23

楼上正解，首先判断应用程序空间大小，然后预留一个扇区（4K）用作EEPROM，由于NXP m0系列芯片一个扇区大小为4Ｋ，进行IAP擦除操作的最小单位也就是4Ｋ，然后通过IAP的方式将读出数据，改写需要写入的数据，最后将数据写入扇区。

creafyumi · 发表于2011-12-22 11:53

IAP可以啊

weboch · 发表于2011-12-23 13:41

完全正确，只是需要注意的是如果过于频繁的去写Flash就要考虑寿命的问题。
如果这些数据非常重要，而且经常更新，这种方法就会有局限性。

leifengfirst

有以下解决方法：
1.使用lpc1114内置的flash来模拟；
2.使用外扩eeprom；
3.使用内置eeprom的lpc11e1x系列。

yuqingping8001

现在NXP推出的LPC11E14,带片上EEPROM,
需要的话,可以联系我:QQ:113616795
TEL:13418867225

wnwnwn

学习了

littleshrimp

用iap 没问题，一个扇区擦除一次后可以将数据分批写入，比如一个字节一个字节的写入，速度会比较慢，如果只是短时间掉电保存有要求快速写入速度可以使用那几个基础存储器，利用板内电容保存几分钟没问题，上电数据保留，这个功能很强大的。

renhy

各位神，有没有这方面的例程啊初学者，表示不知道怎么编啊谢谢谢谢