关于三级管一些疑惑。。。

散吧散吧

关于三级管一些疑惑。。。 [复制链接]

或许有些人觉地我得问题有点白痴，但是我是纠结了一个晚上了，所以来发个帖子问问。       我想问一下，怎么从空穴和载流子得角度理解，怎么理解基级电流增加时候，级电级电流增加得，要说公式我也会，我之前看过资料，在npn中，发射结正偏，将发射结得的多子注入基级，注入得发射结得多子对于基级来说是少子，又因为集电级是反偏得，所以注入得基级得发射级得电子在集电结中形成较大得反响漏电流，这个电流就是集电流得本质，但是我搞不明白得是这个电流怎么受基级电流得控制，我想了一下如果要其变化，那么必然要改变从发射结中得n区注入基级得电流，那样得话，感觉唯一得可能就是改变发射结间得电场强度，这样得话三级管不再是流控流型了，所以我郁闷死了。我觉地是自己有东西理解错了，所以请大家指出来，先谢谢大家啦！

hk6108

先来个图

hk6108

把它视为温度计，管长固定，相当于电源，Ie 比作温度，Vo 是那液柱，Uce 就像那真空的空间。

小小白

呵呵，谢谢啊，你的解释看你之前的帖子看到过，对于宏观的理解我懂，但是我就是想知道怎么从载流子的角度解释啊。。。

hk6108

电流放大的根基，在于二极管的正向行为，
耐压、电压增益与恒流的功能，就跟集电结有关了。

hk6108

改变发射结的电压就改变其电场强度，载流子的对流规模就会变化，Ic 和 Ib 就同时被讯号控制。

hk6108

『扩散长度』是反偏结才有的，集电结只是过道，不用操控，集射二结距小于扩散长度，强电即可通。

小小白

是的你的指导让我对今天看到的教程更加深刻的理解了 谢谢啊！

小小白

原帖由 hk6108 于 2011-11-8 00:47 发表 改变发射结的电压就改变其电场强度，载流子的对流规模就会变化，Ic 和 Ib 就同时被讯号控制。

我也是这么理解的啊，但是这样会两个出现两个问题啊，首先是三极管是流控流型的原件这样解释的话给人的感觉就是变为了压控流型，不知道这个怎么解释

其次是在放大状态的时候，发射结的压降是一般变化不大的，大概在0.6到0.7左右，那上面的解释就好像自相矛盾了。。我不懂请大侠指点下啊！谢谢了

hk6108

跟场效应管不同，双极型管要发射结开通了才有作为，而咱们注意的是它线性的电流关系（非线性的伏安特性被忽略了），所谓的「电流控制型」就是这么回事；
另外，发射结电压只听命于讯号是正常不过的，强电的影响属『h参数』范畴，跟基本功能的原理不沾边。

djdhn

看的我眼花

hk6108

管子饱和时，集电结已没有「力气」了，所以我认为，Ic 是直接由电源电动势抽运的，不是靠集电结电场拉动的。

jishuaihu

我也发表一点儿自己的看法

这个图我按我的思路改了一下，以NPN的管子为例

三极管工作在放大状态时，发射区的这个PN结是正向电压，集电区那个是反向电压。图中红色的是电流方向

当发射区这个PN结接正向电压的时候，这个PN接自然是正向电流，当然这个主要是发射区集的电子向基区流动还有基区的空穴向发射区流动组成。这个电流就是控制电流。这个时候，我们要注意三极管的一个制造条件，那就是发射区的掺杂浓度要远远高于基区的掺杂浓度，一般为几十到上百倍。这样在发射区在正向电场的作用下大部分电子都向基区移动，但只有很少电子和空穴复合。这时候提一下三极管制造的另一个条件，就是基区的厚度很薄，都在微米级，这样没有复合的电子就会聚集到和集电区的相邻的地方，虽然集电区的多子也是电子，但别忘了一个条件，就是集电加的是反向电压，即集电区处于高电位，因此这些多于的电子以及原来集电区的电子均会向高电位方向移动，形成电流，从而形成图中红色向下的电流，当然图中忽略了另外一个小电流，你应该知道是哪儿的。这里应该说一下三极管制造的第三个条件，即集电区的面积要大于发射区，这样才能保证多于的电子全部被集电区收集，形成固定的电流。在这里，大家同时应该也明白了发射区和集电区名字的含义了吧，一个是发射电子，一个收集电子。由于发射区向基区运动的电子复合的部分和未复合的部分是成比例的，因此基区到发射区的电流和发射区通过基区再到集电区的电流应该也是成比例的，这个比例应该就是基区和发射区的掺杂浓度比，应该就是三极管的β值。

当然实际工作时集电极的电流还有其他部分，但一般很小， 在这里我就忽略了。希望大家能看明白！

请大家特别注意三极管制造的三个必备条件：1、发射区的掺杂浓度要远远高于基区的掺杂浓度，一般为几十到上百倍；2、基区的厚度很薄；3、集电区的面积要大于发射区。

[ 本帖最后由 jishuaihu 于 2011-11-8 10:11 编辑 ]

常见泽1

从宏观大家都懂 可是从微观 有点南分析

jishuaihu

同意，饱和的时候三极管发射区的电子已经全部参与了电流的形成，已经尽力了！

jishuaihu

我解释的算微观不？只解释了第一次电流形成的过程。我也是刚看书明白的，注意三极管的三个制造条件就会很好理解的！

小小白

原帖由 散吧散吧 于 2011-11-7 23:33 发表 或许有些人觉地我得问题有点白痴，但是我是纠结了一个晚上了，所以来发个帖子问问。 我想问一下，怎么从空穴和载流子得角度理解，怎么理解基级电流增加时候，级电级电流增加得，要说公式我也会，我之前看过资料 ...

重新理解三极管.pdf (219.89 KB, 下载次数: 30)

2011-11-8 10:37 上传

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这个是网上找的一篇文章，我的理论来自他但是因为是新手所以不知道他的理解对不对啊，所以上传来给大家看看啊，希望有人看看说一下自己的理解啊。。。

jishuaihu

我先说一下，看了，说的不对，尤其是提的那些问题，只是他没有明白而已，并不是讲法不对。

xu__changhua

楼主说：

怎么从空穴和载流子得角度理解      纠正下：载流子的，注意应该是“的”，起码要用网络流行字“滴”

答曰：空穴和载流子不在同一个级别上；载流子包含空穴，空穴是载流子，但不是所有的载流子。载流子除了空穴，还有自由电子。所以只需问：怎样从载流子的角度理解??????

 

楼主说：

怎么理解基级电流增加时候，级电级电流增加得

纠正：

怎样理解当基极电流增加（的）时候，集电极电流（也）增加

 

算了，描述的太乱了。

 

请楼主先理清楚  

发射极  基极   集电极

发射区  基区   集电区

发射结            集电结

基本概念再问问题

没有级，级别的级

 

hk6108

在保证构造与性能的前提下，掺杂愈淡，耐压反而愈高，故集基皆淡；
集大射小利于集流，集厚基薄则为实现 Ie 得通而 Ib 被堵的条件；
β 的根源，是二极管的复合扩散比，基极厚度影响 Ie 迁移，基极浓度关乎 Ib 扩散载子含量（这可是讯号源买单的），此乃三极管 β 远低于二极管「β」之由。