LM3S9B96 在使用PLL作为主时钟 66.7M比50M慢

weirgu

LM3S9B96 在使用PLL作为主时钟 66.7M比50M慢 [复制链接]

刚才在开发板上移植了ucos2.

然后顺手改了下时钟分频，发现可以到100M。于是就看了下在100M下idle任务的OSIdleCtrMax的值。

 

SysCtlClockSet(SYSCTL_SYSDIV_4| SYSCTL_USE_PLL | SYSCTL_XTAL_16MHZ |
                   SYSCTL_OSC_MAIN);

 

结果就是这样：SYSCTL_SYSDIV_4 ，50M   100ms，OSIdleCtrMax 在200K左右。

                         SYSCTL_SYSDIV_2.5 ，80M   100ms，OSIdleCtrMax 在220K左右。

                         SYSCTL_SYSDIV_2 ，100M   100ms，OSIdleCtrMax 在270K左右。

                         SYSCTL_SYSDIV_3 ，66.7M   100ms，OSIdleCtrMax 在188K左右。

 

结论就是66.7M反而没有50M快啊。 ，搞不懂为什么哇，难道是时钟的参数不对。

 

academic

确实好奇怪，大家来找找原因啊。

zhuoyue

是哦。。不太明白呢

Triton.zhang

1. 我们在讲到MCU的运行速度的时候，一般来说有两个因素会关注到。第一就是主频，主频越高，指令执行的时间越快。第二是FLASH的访问时间，由于代码都是保存在FLASH存储器里面的，所以如果FLASH的访问时间变长，自然就会影响到MCU的运行时间。

2. 前些年由于MCU的处理速度相对较低，所以大家都很少关注到FLASH的访问时间对MCU执行速度的影响，我们在计算一段代码时，基本上是只考虑MCU的主频。甚至形成了错误的理解，认为程序运行时间只和主频相关。随着MCU的主频越来越高，50M,80M甚至是100M的芯片越来越多，FLASH的访问时间就需要值得考了。

3. 对于连续运行的代码，由于ARM采用了流水线操作，FLASH的访问时间影响相对较小，只是影响第一条语句执行时间。但是对于跳转等指令，是不执行流水线操作的，FLASH的访问时间就会影响到程序的执行时间。

3. TI的LM3系类MCU 在50M以下，访问FLASH是单指令周期，超过50M就是双指令周期，也就是说主频超过50M时，访问FLASH时会有一个周期的等待时间，这样如果代码中带有大量跳转或者其他不能用流水线操作的语句，就出现了50M反而比67M快的情况了.

4. 如果楼主的应用对主频要求高，唯一的解决办法就是把这段程序放到RAM中运行，因为CPU访问RAM都是单周期的。如果想了解更多程序在RAM中运行的问题，请参见我的相关文章。

5. 相对于其他公司的CORTEX-M3， TI的FLASH是最快的了。XX公司的F32系列，25M一下是单周期访问时间，25-50M以下需要1个CLOCK的等待周期，50-72M需要2个等待周期。所以我们在运行有些代码时，TI的50M主频可以跑过XX公司F32的72M主频。

QQ:906411450
triton.zhang

weirgu

这么一说，很明白了哇，受教了。:rose:

dotafengvs

受教了！

tiankai001

学到好知识了，谢谢

sun9091

很专业，受教了

tekkon

学习了。。。

鑫海宝贝

呵呵受教了，恰好刚刚学9B96