|
我用的MCU是LPC2214,外部FLASH为K9F2808U0C,采用IO模拟控制信号对FLASH驱动.没有JTAG调试端口(真失败),数据是串口写入,请问FLASH的读写时序怎么控制.我从给的例子(8051对K9F2808U0C驱动)看到,使用了NOP作为一个机器周期进行时序控制,不知道对ARM7的LPC2214来说.这点该怎么处理.还有的就是地址怎么写入.我的程序是这样写的(以写PAGE为例子): pagenum=blocknum<<5+blockpagenum;(其中pagenum是页在整个NAND FLASH中的位置;blocknum是第几个BLOCK;blockpagenum是所要写入的页在本block中的地址) 接下来;连续写入地址 flash_w_address(0x00);-------行地址写入 flash_w_address(pagenum&0xff); flash_w_address((pagenum>>8)&0xff);-------列地址写入 但这样写好象没有写进去.我编写了个检测程序,向FLASH的某PAGE中写入0~511,并把它读出来.,结果读出来的数是512个FF;不知道是怎么回事? 请高手指点迷津!谢谢!
|
|