大功率MOSFET管

风亦路

大功率MOSFET管 [复制链接]

大家设计功率放大器（后级带很小负载时），功率10W左右，负载8欧。一般都使用那些mos功率管呀！  除了散热还需要注意什么？  请大家不吝指教？

贰雨儿

至于mosfet的选择，你可以去IR的官网去找，因为你的功放对功率管要求很低，注意一下负载的额定功率。驱动电路需要注意

风亦路

谢谢！

宏在天涯

事必躬亲

官网上好像没有频率这个指标呐。大侠们能列几个高频MOS管的型号么？

yu2004607

IR，ST，都有。。

电源伙计

如果需要高效率，就要选择Rds_On小的Mos，当然，Mos的反射电容（米勒电容）也很重要，其对开关损耗其很大的作用。且选择的时候需要注意的就是Mosfet的耐压，且要考虑一定的裕量，如对与反激，由漏感造成的尖峰有时候会很高。这跟变压器设计有关系。

洗尽铅华

我觉得选型容易关键是驱动。mos驱动可以用专用的驱动电路或者自己搭钳位电路，目的是让mos管尽快的划过放大区，进入饱和区或截止区，这样mos就不容易发热。还要要控制开关的频率，同样是减少在放大区的时间来降低发热。

sjl2001

请问专家对RCD滤波有没有什么研究  或者经验可以分享一下吗？

sjl2001

MOSFET首先要考虑驱动，一般手册都写驱动电压5V，12V比较常见 低压驱动的也有 再就是驱动电阻的选取 记得网上有专门的一个文档说明如何选取的。 mosfet是开关功率器件，要考虑DS端耐压，导通电阻，最大导通电流和米勒电容，这个电容值直接影响是否好驱动，Qc没记错的话应该是这个。 还有一个就是数据手册上的不同Vgs电压下的Vgs曲线 如下图：

 

有时候Vds小的时候曲线在上升阶段，这样损耗很大 也容易发热的 其实发热分为mosfet的导通损耗和开关损耗，后者比前者大几倍，是损耗的主要原因，也就是发热的主要原因。做好板子之后看看DS的波形，震荡也会耗能，有时候需要rcd吸收处理。

trevor

10W左右的应该不算大功率管。选择时根据RDSon、DS端耐压，最大导通电流、栅荷系数、输入电容、输出寄生电容等参数。TI也有低耐压的一些MOSFET.

http://focus.ti.com.cn/cn/params ... eId=NODE_STRY_PGE_T

trevor

10W左右的MOSFET不算大功率。选择时根据RDSon、所应用拓扑的电压应力计算、额定电流、输入及输出的寄生电容等参数。TI也有耐压小60几伏的MOSFET,可以上TI的主页去查找。

daijun

这个选常用的管子就行了。

常见泽1

选的啥驱动呢？？很重要

daijun

负载8欧姆，是不是音频放大器啊。