美国Everspin半导体中国区指定代理 MRAM(非易失性存储器)
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我司是美国Everspin半导体中国区指定代理. Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构, 来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材 料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。
----------------------------- Julia(徐诺) Ramsun International Limited. 英尚国际有限公司 M/P:86-13651676808 e_mail:julia@sramsun.com QQ:552489939 Msn:sramsun@hotmail.com Skype:sramsun Web:www.sramsun.com
主要代理MRAM(非易失性存储器),可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM,EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有:
串口:256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装 MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN MR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP
并口(*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit 型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装 MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
并口(*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit 型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装 MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA
我司产品可完全替代FRAM(铁电存储器),NV-SRAM,MRAM,如有需要请随时和我们联系. 如以下型号:
CY14B064I CY14ME064 CY14B101KA CY14B108N CY14B064P CY14B101Q CY14B101LA CY14B256KA CY14B101Q CY14C101J CY14B101MA CY14E256LA CY14B101I CY14B256P CY14B101NA CY14V101LA CY14C101I CY14B256Q CY14B104K CY14V101NA CY14B101P CY14B512I CY14B104LA CY14V104LA CY14E256Q CY14B512P CY14B104M CY14V104NA CY14MB064 CY14B512Q CY14B104NA STK11C88 CY14MB256 CY14B101Q CY14B108K STK14C88 CY14B108M STK16C88 CY14B108L STK15C88
FM23MLD16 FM25H20 FM1808 FM18W08 FM22L16 FM25V10 FM18L08 FM1808B FM22LD16 FM25V05 FM24C512 FM28V010 FM21L16 FM25V02 FM24L256 FM25L256B FM21LD16 FM25W256 FM24C256 FM25256B FM28V100 FM25V01 FM24V05 FM24V10 FM28V020 FM25L512 FM24W256 FM24V01 FM24V02
如有需要请随时和我们联系. 我们原厂供货,价格&交期较有优势. 谢谢!
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