串行E2PROM的类型及应用(中)

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串行E2PROM的类型及应用(中) [复制链接]

作者:万 琳
二、Microwire总线型
Microwire总线采用时钟(CLK)、数据输入(DI)、数据输出(DO)三根线进行数据传输，接口简单。Microchip公司的93XXX系列串行E2PROM存储容量从1k bit(×8/×16)至16k bit(×8/×16)，采用Microwire总线结构。产品采用先进的CMOS技术，是理想的低功耗非易失性存储器器件。
1?引脚
93XX系列串行E2PROM的产品很多，附图是93AA46型1k 1.8V Microwire总线串行E2PROM的引脚图。
CS是片选输入，高电平有效。CS端低电平，93AA46为休眠状态。但若在一个编程周期启动后，CS由高变低，93AA46将在该编程周期完成后立即进入休眠状态。在连续指令与连续指令之间，CS必须有不小于250ns（TCSL)的低电平保持时间，使之复位(RESET)，芯片在CS为低电平期间，保持复位状态。　　CLK是同步时钟输入，数据读写与CLK上升沿同步。对于自动定时写周期不需要CLK信号。　　DI是串行数据输入，接受来自单片机的命令、地址和数据。　　DO是串行数据输出，在DO端需加上拉电阻。ORG是数据结构选择输入，当ORG为高电平时选×16结构，ORG为低电平时选×8结构。
2?工作模式
根据单片机的不同命令，93AA46有7种不同的工作模式，附表给出在ORG=1(×16结构)时的命令集(表中“S”为Start位)。ORG=0(×8结构)，除在地址前加A6位或在地址后加一位“X”外，其余与附表相同。　　除了读数据或编程操作期间检查READY/BUSY状态时外，DO脚均为高阻状。在擦除/写入过程中，DO为高电平表示“忙”，低电平表示“准备好”。在CS下降沿到来时，DO进入高阻态。若在写入和擦除转换期间，CS保持高电平，则DO端的状态信号无效。
3?功能
START(起始)条件　CS和DI均为高电平后CLK的第一个上升沿，确定为START。若紧随START条件后DI端输入满足7种工作模式中的一种所需的命令码、地址及数据位的组合，指令将被执行。执行完一条指令后，未检测到新的START条件，DI、CLK信号不起作用。数据保护　上电时，Vcc未升到1?4V前，所有操作方式均被禁止。掉电时，一旦Vcc低于1?4V，源数据保护电路启动，所有操作方式均被禁止。芯片上电时自动进入擦写禁止状态，保护芯片不被误擦写。EWEN命令也可以防止误擦写，详见擦写禁止和擦写使能。　　读操作READ　当CS为高电平时，芯片在收到读命令和地址后，从DO端串行输出指定单元的内容(高位在前)。写操作WRITE　当CS为高电平时，芯片收到写命令和地址后，从DI端接收串行输入16位或8位数据(高位在前)。在下一个时钟上升沿到来前将CS端置为(低电平保持时间不小于250ns)，再将CS恢复为"1"，写操作启动。此时DO端由“1”变成“0”，表示芯片处于写操作的“忙”状态。芯片在写入数据前，会自动擦除待写入单元的内容，当写操作完成后，DO端变成“1”，表示芯片处于“准备好”状态，可以接受新命令。
擦写禁止和擦写使能(EWDS/EWEN)　芯片收到EWDS命令后进入擦写禁止状态，不允许对芯片进行任何擦或写操作，芯片上电时自动进入擦写禁止状态。此时，若想对芯片进行擦写操作，必须先发EWEN命令，因而防止了干扰或其它原因引起的误操作。芯片接受到EWEN命令后，进入擦写允许状态，允许对芯片进行擦或写操作。读READ命令不受EWDS和EWEN的影响。
擦除、片擦除、片写入操作(ERASE/ERAL/WRAL)　擦除ERASE指令擦除指定地址的内容，擦除后该地址的内容为“1”；片擦除ERAL指令擦除整个芯片的内容，擦除后芯片所有地址的内容均为“1”；片写WRAL命令将特定内容整片写入。片擦除和片写入时，在接受完命令和数据，CS从“1”变成“0”再恢复为“1”(低电平保持时间不小于250ns)后，片擦除或片写入启动，擦除、写入均为自动定时方式。自动定时方式下不需要CLK时钟。
93AA46与单片机的接口电路及数据传输程序此处不再一一写出。