片外SRAM芯片IS61LV25616研究

eeleader

片外SRAM芯片IS61LV25616研究 [复制链接]

IS61LV25616是ISSI公司的SRAM芯片,它的存储容量为16*256K,并具有高低选择信号. 特点如下:

1.高速访问时间8,10,12,15ns

2.CMOS低功郝操作

3.TTL兼容的接口电平

4.单电源3.3V供电

5.无时钟无刷新需求

6.三态输出

7.数据控制分为高,低字节

内部框图如下:

  

封装管脚定义如下:

 

管脚定义如下:

 

IS61LV25616的控制信号的真值表如下:

IS61LV25616时序图分析:

读时序(第一种条件)

   上面时序图是一种简单的地址控制法.地址控制的条件是,片选(CE#),读操作(OE#),高字节(UB#),低字节(LB#)有效.上面时序图反映改变地址,延时一段时间,可以取道有效数据.

第二中读操作的时序(与第一种相比,多一些控制信号)

 

 IS61LV25616写时序

    

 上面时序分析显示,SRAM不需要时钟信号参与控制,同时可以按字节高低顺序操作!

根据上面时序,可以设计基于VHDL 的SRAM 读写控制!

   FPGA程序请参考另一篇文章!

eeleader

 顶!

gz475514589

楼主 ，我顶你，提点小建议，你的存储容量不能这样写，256*16K意思是字线256K 位线16。而写成16*256K，虽然大家也明白这个意思，但是有些定义的习惯，我感觉还是比较重要，对一些主要的概念问题，我感觉还是要抓紧，对概念的深刻理解，有助于理解更多的东西，谢谢

gz475514589

顶起！！

eeleader

哈哈， 谢谢楼上提醒，需要精耕细作！

幺幺莫莫

谢谢楼主了