美国Everspin半导体中国区指定代理 MRAM(非易失性存储器)
我司是美国Everspin半导体中国区指定代理. Everspin MRAM是一种具有革命性的存储器,其原理是利用电子自旋的磁性结构, 来提供不会产生损耗的非挥发特性。Everspin MRAM可在集成了硅电路的磁性材 料中存储信息,以在单一、可无限使用的组件中提供SRAM的速度以及闪存的非挥发特性。 主要代理MRAM(非易失性存储器),可完全替代SRAM,NvSRAM,F-RAM,EEPROM,BBSRAM,FLASH容量有:
串口:256Kbit,1Mbit,4Mbit
型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装 MR25H256 256Kb 32K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN MR25H10 1Mb 128K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN MR25H40 4Mb 512K*8 40MHz 2.7V~3.6V C,M 8-DFN,8-DIP
并口(*8bit):256Kbit,1Mbit,4Mbit 型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装 MR256A08B 256Kb 32K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR0A08B 1Mb 128K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR0D08B 1Mb 128K*8 45ns 2.7V~3.6V,I/O 1.8V Blank 48-BGA MR2A08A 4Mb 512K*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR4A08B 16Mb 2Mb*8 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA
并口(*16bit):1Mbit,4Mbit,16Mbit 型号 容量 数据结构 总线速度 工作电压 工作温度 封装 MR0A16A 1Mb 64K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR2A16A 4Mb 256K*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 44TSOP,48-BGA MR4A16B 16Mb 1Mb*16 35ns 2.7V~3.6V C,M 54TSOP,48-BGA
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