【求助】请高手帮忙！！！！急！！！！！！

myehone

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我用MOS管IRF9630做电源开关管，负载是M22模块（不知道大家用过这个吗？）！！！
当模块检测SIM卡时，MOS管输出电压很是不稳定！！！！
如果不带负载，开关管输出很稳定！！！！！！！！！！！！！！！！！！！
请DX们帮忙，是负载问题还是开关管的问题

ddh19

我顶

zms9439

大电流的时候输出不稳．

stonepal

属正常现象，如果变化太大，可适当加大滤波电容，看看电源的负载能力，另外发射天线远离开关管。

xihai

引用:

属正常现象，如果变化太大，可适当加大滤波电容，看看电源的负载能力，另外发射天线远离开关管。

兄弟看来你是用过了啊！！！你是怎么做的啊？？？？我用的是1000u的，我换个2200的试试吧，

csallon

引用:

大电流的时候输出不稳．

大电流输出不稳，那真么解决啊！！！换管还是你有更好的办法啊

intersong

我换了2200的电容还是不行啊

yzb19860411

DX们有知道什么原因的吗？

chenchaohua99

什么现象，有多严重？说说看

z4126

sim卡在检测的时候峰值电流能达到1A甚至更高，你看看你的晶体管是不是抗不住。

yulian0523

现象主要是当检测SIM卡时，电压波动很大！！！！我用的是IRF9630，波动范围是3－4V；DX们有用MOS管做开关的请帮帮我啊！！！我用的电压是4V，电流峰值是2A，但当模块工作时电流变化很大！！！
那位DX有办法快高速我啊

anger_wang

你用什么供电，供电电源要有一定负载能力，内阻要小。

mimi

在我不加MOS管的情况下，一切正常工作！！加上MOS管后材出现这种问题！！
我想是管子的问题！！！DX有什么高见？？？？？望赐教

snowie

提一个关键指标：Id/ Vds特性曲线，你的栅源极电压，漏源极电压可能不符合条件，导致导通电阻太大。
如果你的电压只有4V，也就是说VDS,VGS都只有-4V，这个值对于有些MOS管来说，导通电流不会太大。

lixiebin2003

那也就是说不可能完成了对吗？
那需要怎么做呢？？？？帮帮忙

zhangjmxx

提高偏置电压或更换小Vgs的MOSFET，如果MOSFET的Igs偏大，就加前级

chaengli

最简单的办法换管，IR就有，IRLML6402就可以。

187221887

引用:

最简单的办法换管，IR就有，IRLML6402就可以。

谢谢你！！！我试试，能把控制电路给我发一个吗？？？我不太会用！！！^_^，

bingshan1129

引用:

提高偏置电压或更换小Vgs的MOSFET，如果MOSFET的Igs偏大，就加前级

大哥你说的我不太懂啊！！！能给发个图加注释吗？？？我好学习一下！！！谢谢了啊

leisurefish

你所用的 MOSFET 是大功率、高输入阻抗的压控半导体器件，用栅极（g）与源极（s）间的偏压 Vgs 控制漏极（d）与源极（s）间的阻抗（主要是 Rds），若 Vgs 太小，ds 之间没有达到“开通”状态，则 Rds 就大，而且该值对 Vgs 或 Vds 的变化相当敏感，就是说 Rds 的变化比较剧烈，当然 Ids（约等于 Vds/Rds ，就是你需要的输出电流）的变化也就比较剧烈了