5057|5

79

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

楼主
 

430中Flash存储器如何读写? [复制链接]

430能不能像philips单片机那样把某些数据存到自身内部的FLASH中?有例子程序么?

最新回复

为什么430的FLASH一定要采用段擦除了,感觉真的很不是爽~~ 如果程序 刚好执行到擦除后,就由于干扰跑飞了,岂不是很惨~~  详情 回复 发表于 2005-4-2 09:36
 
点赞 关注

回复
举报

67

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

沙发
 
可以

//****************************************************************************
// MSP-FET430P140 Demo - Flash In-System Programming
//
// Description; This program first erases flash seg A, then it increments all
// values in seg A, then it erases seg B, then copies seg A to seg B.
// Assumed MCLK 550kHz - 900kHz.
//
// MSP430F149
// -----------------
// /|\| XIN|-
// | | |
// --|RST XOUT|-
// | |
//
// M. Mitchell
// Texas Instruments, Inc
// September 2003
// Built with IAR Embedded Workbench Version: 1.26B
// December 2003
// Updated for IAR Embedded Workbench Version: 2.21B
//******************************************************************************

#include <msp430x14x.h>

char value; // 8-bit value to write to segment A

// Function prototypes
void write_SegA (char value);
void copy_A2B (void);

void main(void)
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog timer
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; // MCLK/2 for Flash Timing Generator
value = 0; // initialize value

while(1) // Repeat forever
{
write_SegA(value++); // Write segment A, increment value
copy_A2B(); // Copy segment A to B
}
}

void write_SegA (char value)
{
char *Flash_ptr; // Flash pointer
unsigned int i;

Flash_ptr = (char *) 0x1080; // Initialize Flash pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment

FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation

for (i=0; i<128; i++)
{
*Flash_ptr++ = value; // Write value to flash
}

FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Reset LOCK bit
}


void copy_A2B (void)
{
char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
char *Flash_ptrB; // Segment B pointer
unsigned int i;

Flash_ptrA = (char *) 0x1080; // Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrB = (char *) 0x1000; // Initialize Flash segment B pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptrB = 0; // Dummy write to erase Flash segment B
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation

for (i=0; i<128; i++)
{
*Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++; // copy value segment A to segment B
}

FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Reset LOCK bit
}
 
 

回复

73

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

板凳
 
我看手册好像不止这么点空间吧,其余的也是这么写么?
 
 
 

回复

82

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

4
 
读怎么做啊
有汇编程序吗?
 
 
 

回复

61

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

5
 
引用:

读怎么做啊
有汇编程序吗?
读就象读RAM一样操作
读不同于写
 
 
 

回复

69

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

6
 
为什么430的FLASH一定要采用段擦除了,感觉真的很不是爽~~
如果程序 刚好执行到擦除后,就由于干扰跑飞了,岂不是很惨~~
 
 
 

回复
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

随便看看
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/10 下一条

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2024 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表