请问版主关于149信息存储器的使用问题

qianlongwuyong

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信息存贮器顾名思义是存放数据的,可以当作EEPROM来使用,每段128字节,
代码存贮器每段512字节

这是版主的话，但是信息存储器如何使用，我在书籍上看得segment A和segment B如何解释。

musli

信息存贮器有两段,segment A和segment B,每段128字节,使用方法请见下面例子:
//****************************************************************************
// MSP-FET430x110 Demo - Flash In-System Programming
//
// Description; This program first erases flash seg A, then it increments all
// values in seg A, then it erases seg B, then copies seg A to seg B.
// Assumed MCLK 550kHz - 900kHz.
//
// MSP430F1121
// -----------------
// /|\| XIN|-
// | | |
// --|RST XOUT|-
// | |
//
// M. Mitchell
// Texas Instruments, Inc
// August 2002
// Built with IAR Embedded Workbench Version: 1.25A
// December 2003
// Updated for IAR Embedded Workbench Version: 2.21B
//******************************************************************************
//******************************************************************************

#include <msp430x11x1.h>

char value; // 8-bit value to write to segment A

// Function prototypes
void write_SegA (char value);
void copy_A2B (void);

void main(void)
{
WDTCTL = WDTPW + WDTHOLD; // Stop watchdog timer
FCTL2 = FWKEY + FSSEL0 + FN0; // MCLK/2 for Flash Timing Generator
value = 0; // initialize value

while(1) // Repeat forever
{
write_SegA(value++); // Write segment A, increment value
copy_A2B(); // Copy segment A to B
}
}

void write_SegA (char value)
{
char *Flash_ptr; // Flash pointer
unsigned int i;

Flash_ptr = (char *) 0x1080; // Initialize Flash pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptr = 0; // Dummy write to erase Flash segment

FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation

for (i=0; i<128; i++)
{
*Flash_ptr++ = value; // Write value to flash
}

FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Reset LOCK bit
}


void copy_A2B (void)
{
char *Flash_ptrA; // Segment A pointer
char *Flash_ptrB; // Segment B pointer
unsigned int i;

Flash_ptrA = (char *) 0x1080; // Initialize Flash segment A pointer
Flash_ptrB = (char *) 0x1000; // Initialize Flash segment B pointer
FCTL1 = FWKEY + ERASE; // Set Erase bit
FCTL3 = FWKEY; // Clear Lock bit
*Flash_ptrB = 0; // Dummy write to erase Flash segment B
FCTL1 = FWKEY + WRT; // Set WRT bit for write operation

for (i=0; i<128; i++)
{
*Flash_ptrB++ = *Flash_ptrA++; // copy value segment A to segment B
}

FCTL1 = FWKEY; // Clear WRT bit
FCTL3 = FWKEY + LOCK; // Reset LOCK bit
}

luhechai

segment A和segment B如何解释,是不是430内部的flash都可以作为e2prom使用，segment A和segment B表示什么意思，我不懂。所以看着程序我也头疼。请版主明释！！！

yaodi_1985_84

MSP430F149的FLASH空间：存放代码地址为：0x1100~0xffff,按512字节分段；存放信息的地址范围：0x1000~0x10ff,按128字节分段；其中B段（segment B）在前，地址范围为0x1000~0x107f,A段（segment A）地址范围0x1080~0x10ff.

ubeczigbee

说实话，除了扇区大小以外和代码存储器无差别

leungpki

4楼的请解释   是单独重新配置地址还是和代码段统一分配地址。能不能单独编成，编过之后再烧代码。我想把它当e2prom用。谢谢！！

happyboy1986

引用:

4楼的请解释 是单独重新配置地址还是和代码段统一分配地址。能不能单独编成，编过之后再烧代码。我想把它当e2prom用。谢谢！！

shiminghu

只烧内部的e2prom段或只烧程序代码段，两者互不影响，是吗？

wingslee

FlASH是不同于EEPROM的,差别在于EEPROM可以单字节任意写(可以把1写成0,也可以把0写成1),而FLASH只能把1写成0,要把0写成1时,只能块或者片擦除!