急问：采用2812dec外扩双口ram调试问题。

leungpki

急问：采用2812dec外扩双口ram调试问题。 [复制链接]

   在2812dec外扩展了一片2m的双口ram。使用的是存储器扩展总线的zone2空间。采用ce0片选。按照书上的存储器空间映射地址应该为：0x80000－0x100000。调试的时候存在的问题如下：
   1）我往这段地址写数、读数的时候，结构争取。但操作地址的数量不能控制。每次，不管设置的多少字节，它肯定把512k的zone2空间写满。
   2）在外扩的双口ram没给电的情况下，照样能完成想要的操作。
   3）2812dec指南中给的外部接口（J10，J11）映射到zone0的三个寄存器中的有两个用的是同一段地址的低8位，而且一个是只读，一个是只写。
   这到底是为什么？我怀疑我每次操作的地址根本不是双口ram，而是片上的一段地址，或者虚拟的地址。这个问题应该怎么解决！
   我怎么样才能知道我作连接的双口ram能不能用？
   谢谢了！新手，诚心请教！

00448011

首先你的硬件和软件都有问题，我曾经和你一样也用80000以后的地址，可以一个个的写，没有问题，请注意一下:地址80000h，是用cs2来选择的，你用cs0选择的是2000h，所以出现了你遇到的问题。至于软件，我就没有办法判断了

superjeson

楼上，你刚才说的cs0、cs2是zone0和zone2的片选信号吧！这些信号还能设置吗？我以为直接选择地址80000h指的就是zone2的地址呢！
  2812dec的zone2外扩接口采用分页技术，使用页地址寄存器可以选择另外4m的外扩空间。我用的是ce0片选。

jinzling

是的，要用cs2