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一粒金砂(初级)

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如何解决F2812烧写后运行速度比仿真时慢的多的问题?? [复制链接]

我用GPIO程序仿真时,在IO输出口上得到6.26KHz的方波输出;一旦烧写进FLASH后运行,在IO输出口上得到1.17KHz的方波输出。二者相差5倍多。
仿真时用CMD文件摘录如下:
PAGE 0 :
   PRAMH0  : origin = 0x3f8000,  length = 0x001000
PAGE 1 :
   RAMM0    : origin = 0x000000, length = 0x000400
   RAMM1    : origin = 0x000400, length = 0x000400
   DRAMH0  : origin = 0x3f9000,  length = 0x001000

   .reset       : > PRAMH0,      PAGE = 0
   .text         : > PRAMH0,      PAGE = 0
   .cinit         : > PRAMH0,      PAGE = 0

   .stack       : > RAMM1 ,       PAGE = 1
   .bss          : > DRAMH0,      PAGE = 1
   .ebss        : > DRAMH0,      PAGE = 1
   .const       : > DRAMH0,      PAGE = 1
   .econst     : > DRAMH0,      PAGE = 1      
   .sysmem   : > DRAMH0,      PAGE = 1
烧写时用CMD文件摘录如下:
PAGE 0 :
   FLASHJ      : origin = 0x3D8000, length = 0x002000
   FLASHI      : origin = 0x3DA000, length = 0x002000
   FLASHB     : origin = 0x3F4000, length = 0x002000
   FLASHA     : origin = 0x3F6000, length = 0x001FF6
   BEGIN       : origin = 0x3F7FF6,  length = 0x000002
   VECTORS  : origin = 0x3FFFC2,  length = 0x00003E         
PAGE 1 :
   RAMM0M1  : origin = 0x000000, length = 0x000800     
   RAML0L1   : origin = 0x008000, length = 0x002000
   RAMH0      : origin = 0x3F8000, length = 0x002000

   .reset        : > BEGIN       PAGE = 0
   vectors      : > VECTORS  PAGE = 0
   .cinit          : > FLASHJ      PAGE = 0
   .text          : > FLASHA     PAGE = 0

   .stack       : > RAMM0M1    PAGE = 1
   .bss          : > RAML0L1     PAGE = 1
   .ebss        : > RAML0L1     PAGE = 1
   .const       :   load =FLASHB PAGE 0, run = RAML0L1 PAGE 1
        {__const_run = .;
         *(.c_mark)
         *(.const)
         __const_length = .-__const_run;
        }  
   
   .econst     :   load =FLASHB PAGE 0, run = RAML0L1 PAGE 1
        {__econst_run = .;
         *(.ec_mark)
         *(.econst)
         __econst_length = .-__econst_run;
        }   
   .sysmem   : > RAMH0       PAGE = 1
如何解决F2812烧写后运行速度比仿真时慢的多的问题??据说可以将代码下载到FLASH中,运行时再装载到SRAM中,但不知具体怎么操作?应该如何修改CMD文件?

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引用:写道: 我也打算用TPS767D301了,一块芯片就代替了3块的功能, 集成高应该性能更佳吧,而且价格比起来,还便宜了好多块 只有一点,对核电流与IO电流的大小选择心里没有很多底, 说明书上说,核电流最多250mA,IO最多也不到100mA, 还要考虑别的什么地方耗电吗? 请问老兄你是怎么考虑这个问题的? 别的朋友也请探讨一下 你大概算一下,总功耗大小多少就可以了。 我自己就用了700毫安的,没什么问题  详情 回复 发表于 2006-12-9 09:57
 
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我也遇到同样的问题,顶上去!
 
 

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板凳
 
有没有对FLASH的速度进行设置?
 
 
 

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cmd 要改的,我对比了一下,快了点,但是也不是很明显,可能是我的程序小的原因。
 
 
 

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哈哈,1。8V和1。9伏都可以的

直接用电源芯片产生1。9伏的电压,给内核供电

你想复杂了
 
 
 

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一粒金砂(初级)

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我也对此感到很疑惑,DATA SHEET也是说当频率为150M时应该用1.9V核电压,在135M时用1.8V的。
另外,我知道上电次序是先3.3V,再1.8V,要严格要求这样,但掉电次序看资料也有要求的,好像在1.8V降到1.5V之前必须使复位/XRT持续低电平至少8毫秒,不知道楼主在掉电次序方面平时是怎么执行的,掉电次序需要严格执行吗?
 
 
 

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一粒金砂(初级)

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1.8V是也可以运行在150MHz
 
 
 

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一粒金砂(初级)

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电源芯片用TI的PS767D301就可以拉,符合上电顺序,可调输出1。9V,既然手册上讲是150M1。9V,我看还是用1。9V吧,可能会更稳定一些
 
 
 

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一粒金砂(初级)

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引用:
写道:

我也打算用TPS767D301了,一块芯片就代替了3块的功能,
集成高应该性能更佳吧,而且价格比起来,还便宜了好多块

只有一点,对核电流与IO电流的大小选择心里没有很多底,
说明书上说,核电流最多250mA,IO最多也不到100mA,
还要考虑别的什么地方耗电吗?

请问老兄你是怎么考虑这个问题的?
别的朋友也请探讨一下
你大概算一下,总功耗大小多少就可以了。

我自己就用了700毫安的,没什么问题
 
 
 

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