2812程序烧到FLASH后运行速度变得太慢，请教高手指点

uranus0903

2812程序烧到FLASH后运行速度变得太慢，请教高手指点 [复制链接]

我的程序一直在SRAM里运行，时钟频率150MHz，程序运行一次时间只需100us。下到FLASH后需要600us！我配置FLASH的一些等待周期寄存器，想提高FLASH的运行速度，结果程序不能正常运行。哪位能教教我怎样提高FLASH速度啊。另外哪位能给我提供怎样把部分程序从FLASH调到SRAM里运行的例子，谢谢了！

fiona007

引用:

我的程序一直在SRAM里运行，时钟频率150MHz，程序运行一次时间只需100us。下到FLASH后需要600us！我配置FLASH的一些等待周期寄存器，想提高FLASH的运行速度，结果程序不能正常运行。哪位能教教我怎样提高FLASH速度啊。另外哪位能给我提供怎样把部分程序从FLASH调到SRAM里运行的例子，谢谢了！

sram里运行是最快的。

guide上有flash配置流水线的说明，你用了没有。

我用了，觉得差别不大。

在ram里运行flash程序的我也有

lmcfxl

我下载到FLASH的程序在初始化中配置了FSTDBYWAIT/FBANKWAIT等寄存器，但只要配置这些寄存器，程序就跑飞（书上说配置这些寄存器时不能访问FLASH，我的程序全在FLASH里，不访问怎么配置啊？）。我想把初始化的这段程序放在SRAM里运行，这样是不是在配置时就不会访问FLASH了？但我不知道具体怎么做（就是怎么把FLASH里的程序搬到SRAM里运行）。
你能不能帮我解决这个问题啊？给我个例子或者通过别的方式教教我怎么做，如果需要，我们定有酬谢！

hopely

以后有问题可以到TI网站上找资料解决的

附件

Running an Application from Internal Flash Memory on the TMS320F281x DSP.zip (459.05 KB)

2005-12-14 06:09, 下载次数: 260

附件

Running an Application from Internal Flash Memory on the TMS320F281x DSP.zip (459.05 KB)

2005-12-14 06:09, 下载次数: 260

choubiqi

我作设计一开始本打算用2812和ADS8364的，我是这样接的，DGND和SGND一块接到2812的数字地上，AGND那就不用说了，接到模拟地上，至于你的片选信号，我认为最好还是用2812所提供的片选端子，你可以配一个地址线把区域0和1分开，或者把6和7分开，我没有试过用IO口来模拟片选，
我现在用的是Ads7864，数据只有12位，不过比2812上的AD好多了，误差最大位0.5％，

shyhard

楼上的，SGND我觉得应该接模拟地，而不应该接数字地。