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STM8S晶振抗干扰问题解决了没有 [复制链接]

                                 本来从PIC转向STM8S,如果解决不了晶振问题,又要转回去了
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                                 总看到有人说用外部晶振校准内部RC,哪里有具体描述方法的吗?  详情 回复 发表于 2011-1-19 16:44
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                                 所以不要轻易转MCU是需要付出代价的。
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                                 据说STM8L系列的已经修正这个问题了
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                                 只要把所有的VCC,GND都接上,绝不出这问题.至少我有量产的东西没这问题.
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                                 我的已经出问题了,用来控制直流电机,只要用外部晶振,很容易死机,
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                                 没听说STM8S解决了这样问题,据说ST的建议是系统时钟用内部RC,外部晶振只用来校准内部时钟。
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                                 楼上,我说的是STM8L系列,看清楚了,并且也是"据说"
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                                 这次调试一个设备,对延时要求比较精确,虽然暂时调试出来了合适的延时时间,我怕到了夏天,温度高了,RC频率就变了,所以有点害怕呀,看来暂时还是不用STM8,等芯片稳定了再说
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这次调试一个设备,对延时要求比较精确,虽然暂时调试出来了合适的延时时间,我怕到了夏天,温度高了,RC频率就变了,所以有点害怕呀,看来暂时还是不用STM8,等芯片稳定了再说 ...
晶体振荡器的抗干扰能力不是很好,但RC振荡器的抗干扰能力不错。如果怕RC振荡器的频率不稳,可以考虑阶段性使用晶体振荡器校准RC振荡器,MCU正常工作时使用RC振荡器提供时钟。
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                                 我就看中STM8的内部RC,如果非得用外部晶振的我就用别的MCU
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                                 没想到这么多人跟我一样,也遇到了同样的问题,STM32F抗干扰能力太差啦,原来我用PIC的没有一点问题,很少出现单片机会死机的,现在改换用STM32F,结果出现了一大堆问题,其中外部晶振一受到干扰就会死机,最严重啦。还有就是程序会跑乱,现在都不知怎么办好?
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                                 总看到有人说用外部晶振校准内部RC,哪里有具体描述方法的吗?
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