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RAM中运行LM3S系列,欢迎讨论 [复制链接]

关于C3版的9B96等的FLASH擦写次数

根据官方给出的最新版本勘误表,对于C3 和C5版本的芯片 FLASH 最大擦写次数为100次,最好还是在SRAM里调程序,而不要烧到FLASH里去,确实调试过程中烧写是之前常用的方法,即使是产品,这个问题有待TI去解决吧,希望新的版本能够消除这样的问题,期待。。。

也看到论坛朋友说的原因:

 

当flash烧写超过100次之后 有万分之二的几率损坏而这个损坏通常是 长时间断电放置,再上电后,FLASH的数据发生了变化 也就是说大家可以该怎么调程序就怎么调程序吧,没什么影响了只要不把FLASH 当模拟的EEPROM用就好了。
看到如何在RAM中调试运行,我最近工作太忙了,这个应该是很多人都想知道的,我看到了,板子没在手上还没试一下,等实验ok了,再和大家分享。

flash memory endurance cycle speclflcation is 100 cycles.jpg (46.03 KB, 下载次数: 12)

flash memory endurance cycle speclflcation is 100 cycles.jpg

RAM中运行LM3S.pdf

197.16 KB, 下载次数: 103

售价: 1 分芯积分  [记录]

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8962没有这个问题。  详情 回复 发表于 2011-4-13 14:00
 
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最近调试程序都在RAM里调试,在KEIL下步骤如下:

    1. 在options for target选项卡的linker里,点击Edit,弹出xx.sct文件的代码,修改为ram地址;

LumianryLM3S8962为例,Flash是从0x00000000地址开始,空间大小为0x40000RAM是从0x20000000地址开始,空间大小为0x10000;

2.配置一个脚本文件:

此脚本文件主要是用来引导应用程序从某一个地址开始运行,此文件扩展名是 .ini 。假设我们想让应用程序在ARM里面运行,并且从0x20000600地址处开始,其脚本代码如下:

LOAD xxx.axf INCREMENTAL              // 要载入对应工程编译产生的.axf文件。 xxx为文件名。很重要。

   FUNC void Setup (void) {

        SP = _RDWORD(0x20000000);             // 应用程序入口地址。

        PC = _RDWORD(0x20000004);             // PC指针为应用程序入口地址基础上加4 

        _WDWORD(0xE000ED08, 0x20000000);      // 参数1为中断向量表的地址,参数2为应用程序入口地址。

    }  

    Setup();                                // 启动函数。

    g,main                                 // 从主函数开始运行。

 3.在options for target中的debug或utilities中,选择Do not erase,去掉program和verify选项;

4.点击调试命令按钮,进入调试状态,在command窗口中输入:INCLUDE ram.ini

5.不同工程中,ram.ini中的load xx.AXF修改即可。

 

ram.ini.rar

614 Bytes, 下载次数: 52

 
 

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楼上的试过了,有什么问题吗?
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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用RAM 调试最大的问题是不能调试大的工程,拿9B96来说,SRAM的空间才96k 所以调小的程序可以,大的程序还是直接FLASH调试吧
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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100次?   哪家的东东啊 !
 
个人签名科学家研究已有的世界,工程师创造未来的世界!
 
 

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一粒金砂(中级)

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不会吧,我板子上芯片的下载次数已经不下千次了。。。
 
 
 

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回复 4楼 yytdragon 的帖子

试过没问题,是的,收到本身sram的限制,代码不能超过内部的ram啊
但是平时小程序还是在ram调试也还好,不知道,只是errta上那样说,影响c3,c5版本的,也有朋友说烧写了有200次了还没发现什么异常的,但也有朋友说烧坏过的或者出现不稳定的
 
 
 

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回复 6楼 hebin939 的帖子

你是用的什么芯片?具体型号,哪个版本的?
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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你是用的什么芯片?具体型号,哪个版本的?
 
 
 

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回复 7楼 zyc1 的帖子

和大家说声,用开发板包括开发调试阶段不用担心FLAH损坏不能用的问题。假设100次以后,flash就算是损坏了,这个他们flash的机理有关系,也不是彻底损伤,还是可以调试使用的,还可以继续下程序;只是长时期掉电放置(比如20天),再上电会引起个别数据变化,所以不能将flash模拟成eeprom使用。 而且100次后flash损坏的概率小于万分之2,TI的参数还是很严格的。

[ 本帖最后由 jkhu 于 2011-3-17 18:49 编辑 ]
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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我的一片9B96的 C3版片子就费了 具技术支持说是FLASH问题。。。。
 
 
 

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纯净的硅(高级)

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回复 楼主 zyc1 的帖子

LZ的资料的确值1 个芯币了。。嘿嘿。。
   不过本人一直用C1的片子,有机会还是用一下C2,C3的片子。传说BUG有点麻烦 。。。。。。想体验一下。。。
 
个人签名只有想不到,没有做不到。
 
 

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一粒金砂(中级)

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我终于晓得为何我有片8962后来烧不进程序了

唉  现在知道了   要是遭看到  该多好啊
 
 
 

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一粒金砂(中级)

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回复 12楼 shilaike 的帖子

请问 C1 C2 C3代表什么意思,可否扫盲啊?
 
 
 

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回复 13楼 Yehhon 的帖子

8962没有这个问题。
 
 
 

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