2105|0

24

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

楼主
 

ARM开发步步深入之SDRAM编程示例 [复制链接]

实验目的:改变“点灯大法”的执行地点,从NandFlash的Steppingstone转到SDRAM中执行,借此掌握存储控制器的使用。

  实验环境及说明:恒颐S3C2410开发板H2410。H2410核心板扩展有64MB的SDRAM,用于设置程序堆栈和存放各种变量。SDRAM选用了两片三星公司的K4S561632(4M*16bit*4BANK),两片拼成32位数据宽度的SDRAM存储系统,并映射到S3C2410的SROM/SDRAM的BANK6,地址范围是0x30000000~0x33FFFFFF。

  实验思路:开发板上电启动后,自动将NandFlash开始的4K数据复制到SRAM中,然后跳转到0地址开始执行,然后初始化存储控制器,把程序本身从SRAM中复制到SDRAM中,最后跳转到SDRAM中运行。故问题的关键是SDRAM的初始化,根据S3C2410的Datasheet,要使用SDRAM,就需配置存储控制器的13个寄存器。

  知识掌握:SDRAM和13个存储控制器的寄存器。

  一、SDRAM:

  CPU提供了一组用于SDRAM的信号:SDRAM时钟有效信号SCKE;SDRAM时钟信号SCLK0/SCLK1;数据掩码信号DQM0/DQM1/DQM2/DQM3;SDRAM片选信号nGCS0(与nGCS6是同一引脚的两个功能);SDRAM行地址选通脉冲信号nSRAS;SDRAM列地址选通脉冲信号nSCAS;写允许信号nWE(不是SDRAM专用的);

  ★SDRAM结构:SDRAM的内部是一个存储阵列,检索时先指定一个行,再指定一个列,就可以准确地找到所需要的单元格,这就是SDRAM寻址的基本原理;单元格被称为存储单元,表格就是逻辑BANK,SDRAM一般含有4个逻辑BANK。

  ★SDRAM的访问:SDRAM片选信号nGCS0有效;逻辑BANK选择;对选中的芯片进行统一的行/列寻址;CPU会从32位的地址中自动分出 逻辑BANK选择信号、行地址信号、列地址信号,然后先后发出行地址信号、列地址信号,逻辑BANK选择信号在发出行地址信号的同时发出,并维持到列地址信号结束;找到了存储单元后,被选中的芯片就要进行统一的数据传输了。

  二、存储控制器的寄存器:

  ★BWSCON(Bus width & wait status control register,总线位宽和等待状态控制寄存器):此寄存器用于配置BANK0~BANK7的位宽和状态控制,每个BANK用4位来配置,分别是:

  ● ST(启动/禁止SDRAM的数据掩码引脚。对于SDRAM,此位置0;对于SRAM,此位置1)

  ● WS(是否使用存储器的WAIT信号,通常置0为不使用)

  ● DW(两位,设置位宽。此板子的SDRAM是32位,故将DW6设为10)

  特殊的是bit[2:1],即DW0,设置BANK0的位宽,由板上的跳线决定,只读的。其实只需将BANK6对应的4位设为0010即可,在此处BWSCON先设置为0x02000000。SDRAM接BANK6对应的[27:24]位,同时注意BANK0比较特殊,如下图所示:

  

  ★BANKCON0~BANKCON7:用来分别配置8个BANK的时序等参数。SDRAM是映射到BANK6和BANK7上的(内存只能映射到这两个BANK,具体映射多大的空间,可用BANKSIZE寄存器设置),所以只需参照SDRAM芯片的Datasheet配置好BANK6和BANK7,BANKCON0~BANKCON5使用默认值0x00000700即可。对于BANKCON6和BANKCON7中的各个位的描述:

  ●MT(bit[16:15]):设置本BANK映射的物理内存是SRAM还是SDRAM,后面的低位就根据此MT的选择而分开设置。本板子应置0b11,所以只需要再设置下面两个参数

  ●Trcd(bit[3:2]):RAS to CAS delay(00=2 clocks,01=3 clocks,10=4 clocks),推2410手册上的荐值是0b01。我们PC的BIOS里也可以调节的,应该玩过吧。

  ●SCAN(bit[1:0]):Column address number(00 = 8-bit,01 = 9-bit,10= 10-bit),SDRAM列地址位数。查阅K4S561632芯片手册得知此值是9,所以SCAN=0b01。如果使用其他型号的SDRAM,您需要查看它的数据手册来决定SCAN的取值:00-8位、01-9位、10-10位。综合以上各值,BANKCON6~BANKCON7设为0x00018005。

  ★REFRESH(刷新控制寄存器):此寄存器的bit[23:11]可参考默认值,或自己根据经验修改,这里用0x008e0000,关键是最后的Refresh Counter(简称R_CNT,bit[10:0])的设置,2410手册上给出了公式计算方法。SDRAM手册上“8192 refresh cycles/64ms”的描述,得到刷新周期为64ms/8192=7.8125us,结合公式,R_CNT=2^11 + 1 – 12 * 7.8125 = 1955。所以可得REFRESH=0x008e0000+1995=0x008e07a3。

  ●Trp([21:20]):设置为0即可。

此帖出自信息发布论坛
点赞 关注
 
 

回复
举报
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

随便看看
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/9 下一条

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表