nor flash擦写

icove

nor flash擦写 [复制链接]

我在对Nor flash进行擦时
最后擦除完成或者对字编程操作完成后，进行校验的函数如下：
bool SST39VF320X::Check_Toggle_Ready (U32 Dst, U32 MaxCycles)
{
    U16 CurrData, PreData;
    U32  TimeOut = 0;

    PreData = *(U16 *) (BaseAddres + Dst * AddrsShift);      // read data
    PreData = PreData & 0x0040;                              // get DQ6
    while (TimeOut < MaxCycles)                                 // check if time-out
    {
        CurrData = *(U16 *) (BaseAddres + Dst * AddrsShift); // read again
        CurrData = CurrData & 0x0040;                        // retrieve bit DQ6
        if (PreData == CurrData)
                 {

             DelayUs(4);                         // delay 1us for bus recovery
                   return TRUE;                                  // return true if DQ6 stops toggling.
                  }
            PreData = CurrData;
        TimeOut++;
    }
        return FALSE;   // timeout error
}

当在进行延时的时候，如果延时操作是1us,或者小些的延时，写入操作就会出现断断续续的写，比如我要写;1.2.3.4.5，结果写出来的结果是:1. .3. .5
如果延时大些，比如四或者五微秒，就会出现程序跑飞的现象，这是为什么呢！！这个延时和什么有关呢？？
请教高手：

qazwsx123

延时小，写操作容易出问题可以理解，毕竟flash的写并不是很快。
可延时大，会跑飞就是非正常现象了，你应该找你程序的问题。用debug模式跟一下看。

rxchen

谢谢，我跟过了，但是没找到原因，那我再看看吧！！不过，这个延时用于恢复什么总线呢？？
为什么要加延时呢？？

rosicky

引用 2 楼 jinyun1984 的回复:
谢谢，我跟过了，但是没找到原因，那我再看看吧！！不过，这个延时用于恢复什么总线呢？？
为什么要加延时呢？？

因为往flash里面写数据需要两个步骤，第一步写buffer，第二步“烧写”，烧写需要较长的时间是微秒级的，所以要加入延时，等待前一个写操作烧写完成才能进行下一个写操作。

zzn511

哦，这样啊，谢谢了！

大唐梦

说的对