NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

QWE4562009

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NMOS应用在高端，需要自举电容叠加电压才能打开NMOS

1.这里是不是有错误啊？应该是15V加电容电压Vc_boot？

2.既然NMOS在高端需要自举，为什么不直接用PMOS？用PMOS有哪些隐患和不好的地方

 

 

894936462

谢谢分享，我蹭点积分，要20个字，好像不太够？

wangshujun72

这个分析有点问题，要考虑负载侧的特性和电压，如果再q2关闭q1尚未打开的时候，vs点由load决定，但是能保证vs和vb压差是15v，因此ho能保证高于vs 15v，所以上管可以可靠导通

wangshujun72

只有load是电感时，并且电流过零（也就是q2关断的瞬间电流是流向半桥的），q2关断，电感电流会沿q1续流，此时vs才等于200v

如果电感电流连续，q2关断时vs是-0.7左右的

半桥无法连接电容，可以不用考虑

连接电阻的时候vs只要q1不开通，就是0v

这个关键的理解是q1开通后vs会升高，这个时候自举会保证不管vs怎么拉高，vb总是比他高15v就行了

 

乱世煮酒论天下

这个Rboot电阻该怎么选择，是作为限流电阻吗，但是负载功率一定，电压不变的情况下电流会随着这个电阻增大而增大，反而在这个电阻上的消耗功率也变大了