浪拓电子（LangTuo)，你的防雷保护器件供应商

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深圳浪拓公司提供高性能的电路保护元器件，包括过压保护组件GDT、MOV、TVS、ESD、TSS和过流保护组件PPTC。

常见的几种“过电压”抑制组件有：

 

●气体放电管 (GDT): 气体放电管是具有一定气密的玻璃或陶瓷外壳，中间充满稳定的气体，如氖或氩，并保持一定压力。电极表面涂以发射剂以减少电子发射能量。当过电压升高在“崩溃点”之前，GDT不导电，是一个绝缘体，但当电压大于“崩溃点”后，则产生“电弧放电”，GDT的电压降到“电弧电压”(10-25V)，此过程几乎与导通后的电流大小无关，“过电压”被箝位。“过电压”消失后，放电器会熄灭电弧并恢复到高阻抗状态。GDT主要应用在通信系统、设备等“雷电”防护场合，由于其通流量大、极间电容小，可自行恢复的特色，作为I级防护最为合适，其缺点是响应速度太慢，放电电压不够精确，寿命短，电性能会随时间老化。

●压敏电阻(MOV):压敏电阻是陶瓷组件，将氧化锌和添加剂在一-定条件下 “烧结”，电阻就会受电压的强烈影响，其电流随着电压的升高而急剧上升，上升曲线是一个非线性指数。当在正常工作电压时，压敏电阻的阻值极大，当“过电压”后，其阻值变的甚小，大电流流过其自身泄向“地”,此时，压敏电阻内部发热量很大，要适当选用，由于有内部发热现象，其特性会变化，它的极间电容、漏电流等，在选用时需认真选择，适用于II级防护和PCB板的防护，其缺点是响应速度慢, 性能会因多次使用而变差，极间电容大。

●半导体放电管(TSS): 是半导体组件，基本结构为PNPN四层构造的固态半导体器件，其管芯结构类似于晶闸管。TSS管适用于较高电平的保护，在响应时间、结电容方面具有与TVS管相同的特点。TSS管较多应用于信号线路的防雷保护。注意:不宜在交流电源或直流电源输入端采用，会造成短路问题。

●瞬态电压抑制器 (TVS): 是半导体器件，TVS适用于II级保护和PCB板的保护，由于其最大特点是快速反应( Ins- -5ns)、非常低的极间电容(1pf- -3pf), 很小的漏电流(1μA)和很大的耐流量,尤其是其组合芯片的方式,非常适合各种接口的防护。

深圳浪拓为客户提供高性能、高可靠性、卓越品质的防雷过压过流保护元器件。