IGBT晶体管IKW75N65EH5,数模转换器LMP92066PWPR,TSM-115-01-L-SH-A-P-TR连接器
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明佳达,星际金华供应IGBT晶体管IKW75N65EH5,数模转换器LMP92066PWPR,TSM-115-01-L-SH-A-P-TR连接器
IKW75N65EH5 高速 650V 硬开关 IGBT 晶体管
产品描述
IKW75N65EH5 是高速 650 V 硬开关 IGBT TRENCHSTOP™ 5,与 RAPID 1 快速软反并联二极管共同封装在 TO-247 封装中,被定义为 “同类最佳 ”IGBT。
特点
650 V 突破电压
与同类最佳的高速 3 系列相比
因数 2.5 的 Qg 降低
开关损耗降低 2 倍
VCEsat 降低 200mV
与快速 Si- 二极管技术共同封装
低 COES/EOSS
温和的正温度系数 VCEsat
Vf 的温度稳定性
优势
同类产品中效率最高,结温和外壳温度更低,器件可靠性更高
外壳温度,从而提高器件可靠性
总线电压可提高 50 V,而不会影响
可靠性
更高的功率密度设计
应用
不间断电源 (UPS) 系统
工业加热和焊接
储能系统
电动汽车充电
离线 UPS - 高频变压器
住宅空调: 智能(物联网)和高效制冷
不间断电源 (UPS)
LMP92066PWPR 双温控数模转换器
产品描述
LMP92066PWPR 是一款高度集成的温控型双 DAC。两个 DAC 均可通过存储在内部 EEPROM 中的两个独立的、用户定义的温度-电压转换函数进行编程,从而无需额外的外部电路即可纠正任何温度影响。上电后,该器件可自动运行,无需系统控制器干预,为控制应用中偏置电压和电流的设置和补偿提供了完整的解决方案。
特点
内部 12 位温度传感器
精度(-40°C 至 120°C),±3.2°C
EEPROM 中存储两个独立的转换函数
双模拟输出
两个 12 位
输出范围 0 V 至 5 V 或 0 V 至 -5 V
耐高电容负载,高达 10 µF
校准后精度 ±2.4 mV(典型值)
输出开/关控制开关时间 50 ns
开关时间 50 ns(典型值)
RDSON 5 Ω(最大值)
I2C 接口: 标准和快速
九个可选从机地址
超时功能
VDD 电源范围 4.75 V 至 5.25 V
VIO 范围 1.65 V 至 3.6 V
指定温度范围 -25°C 至 120°C
工作温度范围 -40°C 至 125°C
应用
GaN 或 LDMOS PA 偏压控制器
传感器温度补偿
定时电路温度补偿
TSM-115-01-L-SH-A-P-TR 高配接周期连接器 15POS 引脚接头
产品描述
TSM-115-01-L-SH-A-P-TR 是 E.L.P.™ 高配接周期连接器,.100" 表面贴装端子排。
特点
高达 8 Gbps 的性能
达到或超过 MIL-DTL-55302 测试标准
间距:0.100 英寸(2.54 毫米)
触头系统:0.025 英寸(0.635 毫米)方柱
方向 垂直、水平
端接: 表面贴装,混合技术
特殊功能: 专为表面贴装应用而设计,提供多种选项以方便加工
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