MOSFET 晶体管IRFH5215TRPBF，STW35N60DM2，DP83867ISRGZR以太网物理层收发器

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MOSFET 晶体管IRFH5215TRPBF，STW35N60DM2，DP83867ISRGZR以太网物理层收发器 [复制链接]

明佳达，星际金华供应MOSFET 晶体管IRFH5215TRPBF，STW35N60DM2，DP83867ISRGZR以太网物理层收发器

 

STW35N60DM2 集成电路芯片 600V 28A N 沟道功率 MOSFET 晶体管

产品描述
STW35N60DM2 是高压 N 沟道功率 MOSFET 晶体管，属于 MDmesh™ DM2 快速恢复二极管系列。
STW35N60DM2 具有极低的恢复电荷 (Qrr) 和时间 (trr)，同时具有较低的 RDS(on)，因此适用于要求最苛刻的高效率转换器，是桥式拓扑结构和 ZVS 相移转换器的理想之选。

特点
快速恢复体二极管
极低的栅极电荷和输入电容
导通电阻低
100% 通过雪崩测试
极高的 dv/dt 强度
齐纳保护

应用
开关应用

DP83867ISRGZR 高抗扰度以太网物理层收发器

产品描述
DP83867ISRGZR 器件是一款稳健型低功耗全功能物理层收发器，它集成了 PMD 子层以支持 10BASE-Te、100BASE-TX 和 1000BASE-T 以太网协议。DP83867 经优化可提供 ESD 保护，超过了 8kV IEC 61000-4-2 标准。

应用
电机驱动器
工厂自动化
现场总线支持
工业嵌入式计算
有线和无线通信基础设施
测试和测量
消费类电子产品

特性
超低延迟，TX < 90ns，RX < 290ns
符合时间敏感网络 (TSN) 标准
低功耗：457mW
超过 8000V IEC 61000-4-2 ESD 保护等级
符合 EN55011 B 类发射标准
在 RX/TX 上提供 16 种可编程 RGMII 延迟模式
集成 MDI 终端电阻器
可编程 MAC 接口端接阻抗
WoL（局域网唤醒）数据包检测
25MHz 或 125MHz 同步时钟输出
IEEE 1588 时间戳帧起始检测
RJ45 镜像模式
完全符合 IEEE 802.3 10BASE-Te、100BASE-TX和 1000BASE-T 规范
电缆诊断
RGMII 和 SGMII MAC 接口选项
可配置 I/O 电压（3.3V、2.5V、1.8V）
快速链路断开模式
JTAG 支持

IRFH5215TRPBF 150V StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管

产品描述
IRFH5215TRPBF 是 150V 单 N 沟道 StrongIRFET™ 功率 MOSFET 晶体管，采用 PQFN 5x6 封装。

IRFH5215TRPBF - StrongIRFET™ 功率 MOSFET 系列针对低 RDS（导通）和高电流能力进行了优化。这些器件非常适合要求性能和坚固性的低频应用。全面的产品组合可满足包括直流电机、电池管理系统、逆变器和 DC-DC 转换器在内的广泛应用。

产品特点
行业标准表面贴装电源封装
产品符合 JEDEC 标准
针对开关频率低于 100 kHz 的应用进行了硅优化
与上一代硅相比，体二极管更软
提供广泛的产品组合

应用
SMPS
不间断电源
太阳能逆变器
直流电机驱动器
电池供电应用