LTC2484CDD模数转换器，STM32F334R8T6高性能MCU，BQ25601RTWR电池充电器

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LTC2484CDD模数转换器，STM32F334R8T6高性能MCU，BQ25601RTWR电池充电器 [复制链接]

明佳达，星际金华供应 LTC2484CDD模数转换器，STM32F334R8T6高性能MCU，BQ25601RTWR电池充电器

 

LTC2484CDD 具轻松驱动输入电流消除功能的 24 位 ΔΣ ADC DFN-10

产品描述
LTC2484CDD 将 24 位无延迟 ΔΣ™ 模数转换器与获得专利的 Easy Drive™ 技术相结合。获得专利的采样方案通过自动消除差分输入电流，消除了动态输入电流误差和片上缓冲的缺陷。

功能特点
Easy Drive 技术可实现零差分输入电流的轨至轨输入
直接对高阻抗传感器进行全精度数字化处理
600nVRMS 噪声
GND 至 VCC 输入/参考共模范围
可编程 50Hz、60Hz 或同时 50Hz/60Hz 抑制模式
2ppm INL，无缺码
1ppm 偏移和 15ppm 总未调整误差
可选 2 倍速模式（使用内部振荡器的 15 赫兹）
无延迟： 数字滤波器在一个周期内完成设置
单电源 2.7V 至 5.5V 工作电压
内部振荡器
采用微型（3mm × 3mm）10 引脚 DFN 封装

应用
直接传感器数字转换器
重量秤
直接温度测量
应变计传感器
仪器仪表
工业过程控制
DVM 和仪表

STM32F334R8T6 32 位 MCU 72MHz 主流混合信号 MCU

产品描述
STM32F334R8T6 集成了高性能 Arm® Cortex®-M4 32 位 RISC 内核，工作频率高达 72 MHz，内嵌浮点运算单元 (FPU)、高速嵌入式存储器（闪存高达 64 KB，SRAM 高达 12 KB）以及连接到两个 APB 总线的各种增强型 I/O 和外设。

功能特点
内核 Arm® Cortex®-M4 32 位 CPU，带 FPU（最高 72 MHz）、单周期乘法和 HW 除法 DSP 指令
存储器
- 高达 64 千字节的闪存
- 多达 12 千字节的 SRAM，带硬件奇偶校验功能
- 例程增强器： 指令和数据总线上的 4 千字节 SRAM，带硬件奇偶校验 (CCM)
CRC 计算单元
复位和电源管理
- 低功耗模式： 睡眠、停止、待机
- VDD 和 VDDA 电压范围：2.0 至 3.6 V
- 开机/关机复位 (POR/PDR)
- 可编程电压检测器 (PVD)
- 为 RTC 和备份寄存器提供 VBAT 电源
时钟管理
- 4 至 32 MHz 晶体振荡器
- 用于 RTC 的 32 kHz 振荡器，带校准功能
- 内部 8 MHz RC（使用 PLL 选件可高达 64 MHz）
- 内部 40 kHz 振荡器
多达 51 个快速 I/O 端口，均可在外部中断向量上映射，其中几个具有 5 V 容差
互连矩阵
7 通道 DMA 控制器
多达三个 12 位 DAC 通道，模拟电源电压为 2.4 V 至 3.6 V
三个超快轨至轨模拟比较器，模拟电源电压为 2 至 3.6 V
一个可在 PGA 模式下使用的运算放大器，所有端子均可访问，模拟电源电压为 2.4 至 3.6 V
多达 18 个电容式感应通道，支持触摸键、线性和旋转式触摸传感器
带警报的日历 RTC，定期从停止状态唤醒
通信接口
- CAN 接口（2.0 B 有效）和一个 SPI
- 一个 I2C，带 20 mA 电流灌，支持快速模式加、SMBus/PMBus
- 最多 3 个 USART，其中一个带有 ISO/IEC 7816 接口、LIN、IrDA、调制解调器控制

BQ25601RTWR I2C 控制型 1 芯 3A 降压电池充电器

产品描述
BQ25601RTWR 是一款高度集成的 3-A 开关模式电池充电管理和系统电源路径管理器件，适用于单节锂离子和聚合物锂电池。

功能特点
高效率、1.5 MHz 同步开关模式降压充电器
- 5 V 输入 2-A 时充电效率高达 92
- 针对 USB 电压输入（5 V）进行了优化
- 可选低功耗脉冲频率调制 (PFM) 模式，适合轻负载运行
支持 USB On-The-Go (OTG)
- 输出高达 1.2 A 的升压转换器
- 1-A 输出时升压效率为 92
- 精确的恒流 (CC) 限值
- 软启动高达 500-µF 容性负载
- 输出短路保护
- 用于轻负载运行的低功耗 PFM 模式
单输入，支持 USB 输入和高压适配器
- 支持 3.9 V 至 13.5 V 输入电压范围，绝对最大输入电压额定值为 22 V
- 可编程输入电流限制（100 mA 至 3.2 A，分辨率为 100-mA），支持 USB 2.0、USB 3.0 标准和高压适配器 (IINDPM)
- 通过高达 5.4 V 的输入电压限制跟踪最大功率 (VINDPM)
- VINDPM 阈值自动跟踪电池电压
- 自动检测 USB SDP、DCP 和非标准适配器
采用 19.5mΩ 电池放电 MOSFET，电池放电效率高
窄 VDC (NVDC) 电源路径管理
- 在无电池或电池深度放电的情况下瞬时接通
- 电池补充模式下的理想二极管操作
BATFET 控制，支持船舶模式、唤醒和全系统复位
灵活的自主和 I 2C 模式可优化系统性能
高集成度包括所有 MOSFET、电流感应和环路补偿
高精度
- ±0.5% 充电电压调节
- 1.5 A 充电电流调节为 ±5
 
应用
智能手机
手机配件
医疗设备