IRS2110SPBF栅极驱动器，USB控制器STUSB4700QTR，IPT60R035CFD7晶体管BSC010N04LST

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IRS2110SPBF栅极驱动器，USB控制器STUSB4700QTR，IPT60R035CFD7晶体管BSC010N04LST [复制链接]

深圳市明佳达电子，星际金华长期（供应及回收）原装库存器件！
【供求原装器件】IRS2110SPBF栅极驱动器，STUSB4700QTR  USB PD控制器，IPT60R035CFD7（MOSFET晶体管）BSC010N04LST。
【供应】只做原装，库存器件，价格方面由于浮动不一，请以当天询问为准！
【回收】只需原装库存器件，须有原厂外包装标签，有库存的朋友，欢迎随时联络我们！

 

一、IRS2110SPBF：500V 高压侧和低压侧栅极驱动器 IC，带关断功能
描述：IRS2110SPBF 是EiceDRIVER™ 500V 高压侧和低压侧栅极驱动器 IC，具有典型的 2.5A 源电流和 2.5A 灌电流，采用 16 引线 SOICWB 封装，适用于 IGBT 和 MOSFET。
IRS2110SPBF——产品属性：
驱动配置：半桥
通道类型：独立式
驱动器数：2
栅极类型：IGBT，N 沟道 MOSFET
电压 - 供电：10V ~ 20V
逻辑电压 - VIL，VIH：6V，9.5V
电流 - 峰值输出（灌入，拉出）：2.5A，2.5A
输入类型：非反相
高压侧电压 - 最大值（自举）：500 V
上升/下降时间（典型值）：25ns，17ns
工作温度：-40°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
封装/外壳：16-SOIC

 

二、STUSB4700QTR：独立式USB PD控制器（具有VBUS短路保护）
描述：STUSB4700QTR 是通过 Type-C™ 配置通道引脚（CC）进行通信的 USB 电源交付控制器，用于协商向询问的消费类设备提供一定量的电源。STUSB4700 适用于提供商/DFP 设备，如笔记本电脑、平板电脑和交流适配器。
STUSB4700QTR——产品特性：
USB 电源传输 (PD) 控制器
Type-C 连接和线缆方向检测
I2C 接口 + 中断（可选连接至 MCU）
支持多达 5 个电源数据对象 (PDO)
可配置启动配置文件
集成 VBUS 电压监控
内部和/或外部 VBUS 放电路径
CC 引脚上的 VBUS 短路保护（22 V）
VBUS 引脚上的高压保护（28 V）

 

三、IPT60R035CFD7：600V，CoolMOS™ CFD7 系列——N通道功率MOSFET晶体管，PG-HSOF-8
描述：IPT60R035CFD7——600V CoolMOS™ CFD7 采用高压超结 MOSFET 技术，集成了快速体二极管。CoolMOS™ CFD7 降低了栅极电荷 (Qg)，改善了关断性能。
IPT60R035CFD7——产品属性：
系列：CoolMOS™ CFD7
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：600 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：67A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：35 毫欧 @ 24.9A，10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：4.5V @ 1.25mA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：109 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：4354 pF @ 400 V
功率耗散（最大值）：351W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 150°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-HSOF-8-2
封装/外壳：8-PowerSFN

 

四、BSC010N04LST：40V，OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管， 具有更高的温度额定值
描述：BSC010N04LST 采用 SuperSO8 封装的 OptiMOS™ 5 功率 MOSFET 晶体管，不仅采用了最新技术，还提高了封装的温度等级。这一新组合可实现更高的功率密度，并提高稳健性。
BSC010N04LST——产品属性：
系列：OptiMOS™
FET 类型：N 通道
技术：MOSFET（金属氧化物）
漏源电压（Vdss）：40 V
25°C 时电流 - 连续漏极 (Id)：39A（Ta），100A（Tc）
驱动电压（最大 Rds On，最小 Rds On）：4.5V，10V
不同 Id、Vgs 时导通电阻（最大值）：1mOhm @ 50A， 10V
不同 Id 时 Vgs(th)（最大值）：2V @ 250µA
不同 Vgs 时栅极电荷 (Qg)（最大值）：133 nC @ 10 V
Vgs（最大值）：±20V
不同 Vds 时输入电容 (Ciss)（最大值）：9520 pF @ 20 V
功率耗散（最大值）：3W（Ta），167W（Tc）
工作温度：-55°C ~ 175°C（TJ）
安装类型：表面贴装型
供应商器件封装：PG-TDSON-8 FL
封装/外壳：8-PowerTDFN