第三代650 V裸片SiC MOSFET

SZ003

第三代650 V裸片SiC MOSFET [复制链接]

行业内超一流导通电阻和开关损耗，能够实现最佳性能和功率密度参数。

Wolfspeed根据第三代650 V SiC MOSFET增加了其碳化硅（SiC）技术上的主导地位。在更全面的电力系统中满足体型更小、重量更轻、更高效的电力转化。650 V SiC MOSFET是性能卓越工业电源、服务器/电信网络电源、新能源电动车（EV）充电装置、储能设备、应急电源（UPS）和电池管理系统等功能的最佳选择。

特征

低温环境的低导通电阻

低寄生电容

具备极低反向恢复的高效二极管

持续高温操控（Tj=175°C）

优势

通过调整开关和传输损耗提高设备效率

实现高开关频率操控

提高系统级功率密度参数

降低装置规格；重量；和冷却要求

典型应用

工业电源

服务器/电信网络

新能源充电桩装置

储能设备（ESS）

应急电源（UPS）

电池管理系统（BMS）

CREE科锐于2017年分离出微波射频品牌Wolfspeed，以宽带、大功率放大器产品为特色。

*部分型号需申请美国出口许可。详情了解更多型号，欢迎咨询立维创展！

 

Product SKU	Blocking Voltage	RDS(ON) at 25°C	Current Rating	Gate Charge Total	Output Capacitance	Reverse Recovery Charge (Qrr)	Reverse Recovery Time (Trr)	Tjmax	Generation
CPM3-0650-0015A	650 V	15 mΩ	120 A	190 nC	290 pF	510 nC	22 ns	175 °C	Gen 3
CPM3-0650-0045A	650 V	45 mΩ	49 A	63 nC	100 pF	247 nC	13 ns	175 °C	Gen 3
CPM3-0650-0060A	650 V	60 mΩ	37 A	46 nC	80 pF	151 nC	11 ns	175 °C	Gen 3