75|0

13

帖子

0

TA的资源

一粒金砂(初级)

楼主
 

MG600Q2YMS3 硅基碳化物(SiC)N沟道MOSFET模块 [复制链接]

产品概述

MG600Q2YMS3 是一款基于硅基碳化物(SiC)技术的高功率N沟道MOSFET模块,适用于高功率开关和电机控制应用,如轨道牵引系统。其设计旨在满足高效能和快速切换需求,为工业和能源领域提供可靠解决方案。

主要特性

1. 高电压和电流能力
   耐压 (VDSS):1200 V
   漏极电流 (ID):600 A
2. 高效率与低损耗
   碳化硅材料降低导通损耗和开关损耗,实现更高的转换效率。
3. 快速切换性能
 支持高频操作,适用于需要高速响应的应用场合。
4.低热阻设计
   通道到外壳热阻:**0.013 K/W**(典型值)
   支持高功率密度,减少热管理需求。
5. 增强型模式设计

增强型模式提供更安全、更稳定的工作状态。
6. 内置热敏电阻
    支持实时温度监控和保护功能。
7. 电极隔离设计
   电极与金属底板隔离,提高安全性和系统设计灵活性。

技术参数

栅极-源极电压 (VGSS):+25 V / -10 V
最大脉冲电流 (IDP):1200 A
漏极功耗 (PD):2000 W
最大通道温度 (Tch):150 ℃
储存温度范围 (Tstg):-40 ℃ 至 150 ℃
绝缘电压 (Visol):4000 V (AC, 60 s)

热性能

MG600Q2YMS3 在热管理方面表现优异,其低热阻设计确保在高功率应用中具有较低的热量积累,提高系统可靠性。推荐在模块与散热片之间使用50 μm、导热系数为3 W/m·K的导热膏,并按照建议的扭矩进行紧固,以优化导热性能。

应用领域

电机驱动系统 
   提供高效能的电源转换和调节能力。
轨道牵引系统 
   支持高功率、高可靠性的电源需求。
新能源设备
   适用于太阳能逆变器和风力发电系统中的功率转换。
工业控制系统
   满足高频、高电流的控制需求。

封装与连接

MG600Q2YMS3 采用模块化封装设计,便于安装和维护:

主端子(P、N、AC)** 需使用螺钉固定,每个端子建议扭矩为4.0 N·m(M6)。
安装孔建议扭矩为3.0 N·m(M5)。

电气特性

导通电压 (VDS(on)):0.9 V @ 25 ℃
输入电容 (Ciss):53 nF
内部栅极电阻 (rg):2.7 Ω
开关时间 (t_on):0.33 μs
关断时间 (t_off):0.55 μs

此帖出自信息发布论坛
点赞 关注
 
 

回复
举报
您需要登录后才可以回帖 登录 | 注册

随便看看
查找数据手册?

EEWorld Datasheet 技术支持

相关文章 更多>>
关闭
站长推荐上一条 1/10 下一条
Microchip 直播|利用motorBench开发套件高效开发电机磁场定向控制方案 报名中!
直播主题:利用motorBench开发套件高效开发电机磁场定向控制方案
直播时间:2025年3月25日(星期二)上午10:30-11:30
快来报名!

查看 »

 
EEWorld订阅号

 
EEWorld服务号

 
汽车开发圈

About Us 关于我们 客户服务 联系方式 器件索引 网站地图 最新更新 手机版

站点相关: 国产芯 安防电子 汽车电子 手机便携 工业控制 家用电子 医疗电子 测试测量 网络通信 物联网

北京市海淀区中关村大街18号B座15层1530室 电话:(010)82350740 邮编:100190

电子工程世界版权所有 京B2-20211791 京ICP备10001474号-1 电信业务审批[2006]字第258号函 京公网安备 11010802033920号 Copyright © 2005-2025 EEWORLD.com.cn, Inc. All rights reserved
快速回复 返回顶部 返回列表